半导体器件答案2023秋

第六章测试

1.JFET的J是指哪一个（ ）。
A:PN结 B:漏区 C:源区 D:电极
答案:A
2.半导体激光器利用了哪一个原理（ ）。
A:光生伏特效应 B:基区扩展效应 C:电子空穴复合效应 D:自建电场效应 3.IGBT器件的特点 （ ）。
A:相比于VDMOSFET导通电阻低 B:相比于VDMOSFET导通电阻低 C:平面结构 D:不能工作于大电流下 4.功率肖特基整流器的优点 （ ）。
A:具备低的导通压降 B:耐受高压 C:可以进行整流 D:快速的开关性能 5.理想的功率器件必须具有在零功率消耗下控制功率流向负载的能力。（ ）
A:对 B:错