半导体器件答案2023秋

第五章测试

1.NMOSFET的沟道导电载流子为（ ）。
A:电子和空穴 B:固定负电荷 C:电子 D:空穴
答案:C
2.MOSFET中阈值电压（ ）。
A:基区的掺杂 B:基区宽度 C:基区的少子寿命 D:基区中的电荷数 3.MOS电容的CV曲线中反型后归一化电容C/Cox保持水平时的频率（ ）。
A:超高频 B:中频 C:高频 D:低频 4.当MOSFET中漏压VD较小时，器件处于（ ）。
A:截止区 B:饱和区 C:放大区 D:线性区 5.MOSFET根据导电类型分为增强型和耗尽型器件。（ ）
A:对 B:错