电力电子技术答案2023

第四章测试

1.下列电力电子器件中，属于单极型的器件是（ ）。
A:光控晶闸管
B:电力二极管
C:GTR
D:MOSFET

答案:D
2.下列电力电子器件中，属于电流控制型的器件是（ ）。
A:SITH
B:IGBT
C:GTR
D:MOSFET
3.下列器件中，最适合用在小功率、高开关频率场合的是( )。
A:GTO
B:MOSFET
C:GTR
D:IGBT
4.下列电力电子器件中，属于复合型的器件是（ ）。
A:IGCT
B:GTR
C:电力二极管
D:MOSFET
5.在电力电子器件的驱动电路中，一般采用的电气隔离有（ ）。
A:光隔离和磁隔离
B:光隔离和电感隔离
C:电感隔离和磁隔离
D:电容隔离和磁隔离
6.IGBT是MOSFET与GTR复合而成的。（ ）
A:对 B:错 7.电力电子电路的开关频率越高，开关损耗越小。（ ）
A:错 B:对 8.IGBT与MOSFET相比，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（ ）
A:对 B:错 9.阳极电流为1000A的GTO，其电流关断增益为5，则关断时门极所加的负脉冲电流约200A。（ ）
A:错 B:对 10.电力电子电路中，IGBT工作于输出特性曲线的放大区。（ ）
A:对 B:错