第一章 常用半导体器件：本章介绍二极管、三极管等常用半导体器件的结构、工作原理、主要参数。 教学目的与要求： 1.了解本征半导体和杂质半导体的导电特点；掌握PN结的成因与特性。 2.掌握二极管的伏安特性及其参数；了解稳压二极管的稳压原理与主要参数；熟练掌握二极管（稳压管）应用电路的分析方法。 3.了解晶体管的结构、符号及电流放大作用；掌握晶体管的共射特性曲线和晶体管的主要参数；了解温度对晶体管特性参数的影响。 4.掌握Multisim的基本使用方法。教学重点与难点： 重点：PN结的特性，二极管的伏安特性，晶体管的电流放大作用，Multisim的基本使用 难点：PN结的单向导电性，三极管的输入输出特性1.1半导体基础知识:了解本征半导体和杂质半导体的导电特点；掌握PN结的成因与特性。[多选题]
1.2Multisim基本使用方法:学习Multisim软件的使用方法，了解半导体器件特性曲线的测试方法。
当PN结加正向电压(正向偏置)时,
选项:[耗尽层变窄
, 内电场减小
, 耗尽层变宽
, 内电场增强]
[单选题]PN结反向电流Is的合理数值为:( )。
选项:[1A, 100mA, mA, uA]
[单选题]当PN结外加正向电压时,扩散电流 ( ) 漂移电流。
选项:[小于, 等于, 大于
]
[判断题]势垒电容、扩散电容与外加电压有关。
选项:[错, 对]
[多选题]当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷、N区呈正电荷,该区的名称为：（ ） 。选项:[势垒, 耗尽层, 空间电荷区, PN结]
[判断题]PN结反向电流Is与温度有关。
选项:[错, 对]
[单选题]常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。选项:[2.6uV, 26mV, 26V, 260V
]
[单选题]关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。
选项:[与外电场相同, 由P区指向N区
, 与外电场相反, 由N区指向P区]
[单选题]当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).
选项:[对数式上升, 比例式上升, 越来越快地上升, 指数式上升]
[单选题]PN结正向偏置时的结电容( )反向偏置时的结电容:
选项:[大于, 等于, 小于]
[判断题]PN结电流方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。选项:[对, 错]
[判断题]当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。
选项:[错, 对]
[单选题]当PN结外加正向电压时,耗尽层 ( )。
选项:[变宽, 不变, 变窄]
[判断题]温度电压当量UT与温度、PN结面积都有关。选项:[对, 错]
[单选题]对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是： ( )。选项:[Up<UN, Up>UN, Up≤UN, Up≥UN]
[多选题]当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR), 则PN结( ).选项:[反向电流很大, 产生电击穿, 会被烧毁, 反向电流很小]
[判断题]由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。选项:[对, 错]
[判断题]当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。
选项:[对, 错]
[判断题]PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。选项:[对, 错]
[多选题]Multisim提供的虚拟仪器包括：选项:[信号源, 时频分析仪, 示波器, 万用表]
