半导体技术导论答案2023秋

第二章测试

1.

p型硅掺杂V族元素，n型硅掺杂III族元素。

A:错 B:对
答案:A
2.

半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。

A:错 B:对 3.

以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。

A:错 B:对 4.

以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？

A:单晶体 B:多晶体 C:非晶体  D:结晶体 5.

从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。

A:对 B:错 6.

半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。

A:错 B:对 7.

在半导体中的空穴流动就是电子流动。

A:错 B:对 8.

通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。

A:错 B:对 9.

温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？

A:0 B:1 C:1/2 D:1/4 10.

通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。

A:错 B:对