第三章测试1.
通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。
A:错 B:对
答案:A
2.
pn结加反偏压时,总电流为0。
A:对 B:错 3.
平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。
A:错 B:对 4.
金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
A:对 B:错 5.
欧姆接触也称为整流接触。
A:对 B:错 6.
通常,超晶格结构是基于异质结设计的。
A:错 B:对 7.
n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
A:对 B:错 8.
MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
A:对 B:错 9.
MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
A:错 B:对 10.
BJT可用于恒定电流源的设计。
A:错 B:对
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