材料物理期末答案2023秋

1.

根据下图，当金属固溶体有序化后，电阻率受两种作用相反的影响。一方面，当合金有序化后，其合金组元化学作用加强，因此，电子的结合比在无序状态更强，从而使导电电子数减少，因而合金的剩余电阻率增加。另一方面，晶体离子势场在有序化时更为对称，这就使电子散射几率大大降低，因而有序合金的剩余电阻率减小。通常情况下，上述第二个方面的作用占优势，因而当合金有序化时，电阻率降低。

A:错 B:对
答案:AI参考:通过对题目描述的分析，可以得出以下信息：\n\n金属固溶体有序化后，电子的结合加强，导电电子数减少，剩余电阻率增加；同时，晶体离子势场在有序化时更为对称，电子散射几率大大降低，剩余电阻率减小。通常情况下，第二个方面的作用占优势，因此当合金有序化时，电阻率降低。\n\n因此，答案是B：对。选项A是错误的，因为题目中明确指出第二个方面的作用通常占优势，从而使得电阻率降低。'
2.

根据下图NaCl晶体II段的lnσ~1/T可得直线，直线斜率为-U_S/R，主要为杂质缺陷起电导作用，其大小决定于杂质浓度c，这就是图中曲线II段的情形。如果c很小，近似为零，则为本征导电，作lnσ~1/T图可得直线，直线斜率为-(U_S＋ε_S/2)/R，主要为本征空位缺陷起电导作用，这就是图中曲线I段的情形。曲线偏离的I’处发生在氯化钠熔点(802℃)，是由于氯离子空位可流动所造成的。III段发生在较低温度(~390℃)，是由于缺陷络合物形成，如正/负离子对、负离子/异价正离子对生成。这样，空位迁移必须先解离络合物，需要能量，结果III段的活化能就要大于II段的活化能，故该段曲线下弯。

A:错 B:对
答案:AI参考:B. 对。根据问题中描述的情况，给出的图形表明，当杂质浓度c较小时，晶体的导电性主要归因于本征缺陷，如空位。在这种情况下，导电性能与温度的关系可以表示为lnσ~1/T，直线斜率为-(Us+εS)/R，这表明导电性能与空位迁移所需的能量有关。因此，曲线III段发生在较低温度(~390℃)，是由于缺陷络合物形成，如正/负离子对、负离子/异价正离子对生成。由于空位迁移需要先解离络合物，需要能量，结果III段的活化能就要大于II段的活化能，因此该段曲线下弯。因此，答案为B. 对。'
3.

根据下图解释掺杂的氯化银晶体的电导率变化：本征区电导率正比于[Ag_i·]，温度T一定时，电导率σ为一平台，温度升高，电导率增大。非本征区，掺入高价正离子Cd²⁺形成缺陷Cd_Ag·，根据化学计量原理，必然产生空位缺陷V_Ag’，由于[Ag_i·][V_Ag’]=常数.随Cd²⁺掺入量增大，[V_Ag’]增大而[Ag_i·]量就减少，故开始段电导率下降。Cd²⁺掺入量增大到一定量时，这时空位缺陷V_Ag’的导电起主导作用。由于V_Ag’随Cd²⁺掺杂量增大而增大，因此电导率σ亦相应增大。所以总的电导率先随Cd²⁺量增大下降后又增大。

A:错 B:对
答案:AI参考:答案：B\r\n推理过程：\n正确，和图相符，解释得完整合理。\n整个过程的转变是由电导率上升变为下降，后又再次上升的过程。推理完整，分析到位。'
4.

 在有氧条件下将ZnO晶体放在Zn蒸气中加热，Zn(g)+1/2O₂=ZnO，xZn(g)+ZnO=Zn_(1+x)O

假设Zni´完全电离Zn(g)→Zni··+2e’， 此时电子浓度、间隙锌离子浓度和氧分压的关系为：

A: B: C: D:
答案:AI参考:正确选项为【C: 电子浓度与间隙锌离子浓度成正比，与氧分压成反比】。\n\n根据题目描述，在有氧条件下将ZnO晶体放在Zn蒸气中加热，发生Zn(g)+1/2O2=ZnO和xZn(g)+ZnO=Zn(1+x)O两个反应。根据题目中的假设，Zn完全电离Zn(g)→Zn+2e’，因此电子浓度与间隙锌离子浓度成正比。同时，由于有氧气的存在，反应会消耗氧气并产生氧气分子，因此氧分压会逐渐降低。所以，电子浓度与间隙锌离子浓度成正比，与氧分压成反比。因此，选项C为正确答案。'
5.多晶体材料和相同组成的固溶体材料的热导率 更大，在氧化镁中掺入氧化钙或氧化钡， 造成的热导率的变化大。（ ）
A:多晶体，氧化钡。 B:单晶体，氧化钙； C:单晶体，氧化钡； D:多晶体，氧化钙；
答案:AI参考:正确答案是C：单晶体，氧化钡。\n多晶体材料是由许多单晶体组成，各向异性，热导率随晶向和晶面的不同而有所差异。单晶体是由许多小的晶体组成的，这些小晶体在晶体表面分布不规则，其热导率取决于晶体的质量和大小，氧化钡的掺入会导致热导率变化较大。因此，选项C“单晶体，氧化钡”是正确答案。选项A和D都描述了多晶体材料，但没有提到氧化钡的掺入，因此不正确。选项B没有明确指出掺入的是哪种物质，因此也不正确。'
6.在无氧条件下，在1000 K左右将ZnO晶体放在Zn蒸气中加热，晶体转变为红色,生成Zn1+xO的n型半导体,它在室温下的电导要比ZnO大很多。xZn(g)+ZnO=Zn(1+x)O，假设Zni完全电离Zn(g)→Zni+2e’， 此时电子浓度、间隙锌离子浓度和Zn分压的关系为：（ ）
A: B: C: D:
答案:AI参考:正确答案是C：电子浓度=间隙锌离子浓度。\n\n根据题目描述，在无氧条件下，将ZnO晶体放在Zn蒸气中加热后，晶体转变为红色，生成Zn1+xO的n型半导体。这表明氧化锌晶体中一部分氧空位被锌原子替代，并且产生了一种电导性很强的金属间隙氧化物，说明此时发生了电离过程，生成了金属锌离子和电子。因此，电子浓度和间隙锌离子浓度相等，选项C正确。同时，题目中还假设Zni完全电离Zn(g)→Zni+2e’，因此电子浓度是和间隙锌离子浓度是相等的。其他选项都与题目描述不符。'
7.

当某材料的气孔率为0.8时，材料的强度与理论强度的关系是（假设n为4）（ ）

A:σf=0.0017σ0 B:σf=0.0020σ0 C:σf=0.081σ0 D:σf=0.041σ0
答案:AI参考:正确选项为D:σf=0.041σ0。\n\n根据题意，气孔率为0.8时，材料的强度与理论强度之间的关系假设为n为4，即材料的强度与理论强度的比值为0.8。因此，材料的实际强度σf应该等于理论强度σ0乘以0.8，即σf=0.041σ0。所以选项D为正确答案。选项A、B、C都不符合题意。'
8.镁橄榄石（Mg2SiO4）瓷的组成为45%SiO2，5%Al2O3和50%MgO，在1400℃烧成并急冷（保留玻璃相），陶瓷的＝5.4。由于Mg2SiO4的介电常数是6.2，估算玻璃的介电常数。（设玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2）。( )
A:5.93 B:4.25 C:4.1 D:5.91
答案:AI参考:根据题目描述，镁橄榄石（Mg2SiO4）瓷的组成为45%SiO2，5%Al2O3和50%MgO，在1400℃烧成并急冷后形成玻璃相。由于Mg2SiO4的介电常数为6.2，我们可以根据介电常数的定义来估算玻璃的介电常数。\n\n介电常数是表示物质电介质极化性质的物理量，它等于电场强度与电位移矢量的比值。在固体中，介电常数通常与分子或原子的排列方式、极化率等因素有关。\n\n对于玻璃相，我们可以将其视为均匀分布的极化小区域组成的总体，每个小区域受到周围分子的影响而产生极化。由于玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2，我们可以假设玻璃相中每个小区域受到的影响与Mg2SiO4中单个分子受到的影响相同。\n\n根据介电常数的定义，我们可以得到：\n\n玻璃的介电常数 = Mg2SiO4的介电常数 × 玻璃体积浓度 / 极化小区域的体积浓度\n\n根据题目描述，玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2，所以玻璃的介电常数可以估算为：\n\n6.2 × 5.4 / (1/2) = 4.1\n\n因此，正确选项为C：4.1。'
9.

以下不属于非金属产生滑移条件的是（ ）

A:滑移矢量小 B:柏格斯矢量大 C:面间距大 D:每个面上是同一种电荷的原子，相对滑动面上的电荷相反
答案:AI参考:正确选项是：B:柏格斯矢量大。\n\n非金属产生滑移的条件包括：滑移矢量小、柏格斯矢量小、面间距大、每个面上是同一种电荷的原子，相对滑动面上的电荷相反。其中，柏格斯矢量是描述晶体中原子排列不规则性的量，它的大小反映了晶体中原子排列的粗糙程度。因此，柏格斯矢量大不属于非金属产生滑移的条件。'
10.比较Ge、Si、氯化钠晶体在光频下介电系数的大小（ ）
A: B: C: D:
答案:AI参考:正确答案是C。\n比较Ge、Si、氯化钠晶体在光频下介电系数大小，氯化钠晶体介电系数最大，其次是硅，最小的是锗。\n所以选择C。'
11.本征硅在室温下可作为红外光导探测器材料，若探测器的最大波长为1109nm，推算本征硅的禁带宽度。（ ）
A:7.03eV B:1.12eV C:2.24eV D:1.76Ev 12.下列组成的磁矩：CdzFe2.9O4。（ ）
A:z=0.1，μ=6μB B:z=0.9，μ=2μB C:z=1.9，μ=μB D:z=0.1，μ=4.6μB 13.某单晶硅本征半导体的电子迁移率为1600 cm2/（s·v），空穴迁移率为400 cm2/（s·v），空穴的电量与电子的电量相同，其电子迁移数为（ ）
A:0.4 B:1 C:0.8 D:0.2 14.滑石Mg[Si4O10](OH)2硅酸盐矿结构属何种结构类型？（ ）
A:架状 B:链状, 单链 C:层状 D:组群状，双四面体 15.镁橄榄石（Mg2SiO4）瓷的组成为45%SiO2，5%Al2O3和50%MgO，在1400℃烧成并急冷（保留玻璃相），陶瓷的＝5.4。由于Mg2SiO4的介电常数是6.2，估算玻璃的介电常数。（设玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2）。( )
A:5.93 B:4.25 C:4.1 D:5.91 16.Cu的密度8.92g/cm3，原子量为63.55，计算Cu的EF0（ ）
A:3.5 eV B:7eV C:14eV D:1.8 eV 17.反型尖晶石结构CoFe2O4的单位体积饱和磁矩为（ ）
A:2μB B:3μB C:0 D:μB 18.计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（ ）
A:1.67×10-10m，3.76×1010m-1 B:2.36×10-10m，5.32×1010m-1 C:3.34×10-10m，7.52×1010m-1 D:1.14×10-10m，2.66×1010m-1 19.滑石Mg[Si4O10](OH)2硅酸盐矿结构属何种结构类型？（ ）
A:层状 B:链状, 单链 C:架状 D:组群状，双四面体 20.当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe2.9O4。（ ）
A:z=0.9，μ=2μB B:z=0.1，μ=6μB C:z=0.1，μ=4.6μB D:z=1.9，μ=μB 21.Cu的密度8.92g/cm3，原子量为63.55，计算Cu的EF0（ ）
A:3.5 eV B:1.8 eV C:7eV D:14eV 22.反型尖晶石结构CoFe2O4的单位体积饱和磁矩为（ ）
A:3μB B:2μB C:0 D:μB 23.计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（ ）
A:1.67×10-10m，3.76×1010m-1 B:3.34×10-10m，7.52×1010m-1 C:2.36×10-10m，5.32×1010m-1 D:1.14×10-10m，2.66×1010m-1 24.同一种晶体中电子的迁移率μe小于空穴的迁移率μh。（ ）
A:错 B:对 25.脆性材料的特点是在弹性形变后没有塑性变形（或塑性变形很小）接着就是断裂，总弹性应变能非常小。（ ）
A:对 B:错 26.相变增韧常用的材料是金属粉末和非金属颗粒。（ ）
A:错 B:对 27.根据表中主要半导体材料的温差电动势系数可以判断ZnO为p型半导体。
A:错误 B:正确 28.在用Y2O3掺杂的ZrO2晶体中，氧空位VO..缺陷占优势（ ）
A:对 B:错 29.根据下图，金属电阻率在不同温度范围与温度变化的关系是不同的，在温度T＞(2/3)θD时，电阻率正比于温度，即ρ(T)＝αT。当T<<θD，电阻率与温度成五次方关系．即ρ∝T5。一般认为纯金属在整个温度区间电阻产生的机制是电子-声子（离子）散射，只是在极低温度（2 K）时，电阻率与温度成2次方关系，即ρ∝T2，这时电子-电子之间的散射构成了电阻产生的主要机制。
A:正确 B:错误 30.根据下图说明费密能级随温度的变化，(a)为n型半导体;(b)为p型半导体;(c)为不同掺杂浓度的n,p型Ge半导体费密能级和温度的关系：n，p型半导体费米能级随温度升高向禁带中央靠近，n型半导体施主浓度越高，能量差(EC-EF)越小，即费米能级往导带底部移近。P型半导体受主浓度越高，能量差(EF-EV)越小，费米能级往价带顶端移近。
A:正确 B:错误 31.判断下述缺陷反应方程是否正确：（ ）
A:正确 B:错误 32.铁电性是由离子位移引起的，而铁磁性则是由原子取向引起的。（ ）
A:对 B:错 33.Cr2+吸收红、橙、黄及紫光，让蓝、绿光通过。（ ）
A:错 B:对 34.在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成负偏压。（ ）
A:对 B:错 35.ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.74g/cm3，这种情况下产生置换型固溶体。（ ）
A:对 B:错 36.在实际应用中，I型（掰开型）是最危险的，是低应力断裂的主要因素。因此用I型断裂方式研究材料的断裂问题。（ ）
A:对 B:错 37.高温时固体热容服从 杜隆-珀替定律，低温时固体热容服从 德拜T3定律。（ ）
A:错误 B:正确 38.在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。p区接电压正极，n区接电压负极，形成负偏压。（ ）
A:正确 B:错误 39.损耗不完全由自由电荷产生时，复介电常数中依赖于频率而不依赖于频率。（ ）
A:错误 B:正确 40.k空间中的（2,2,1）代表的能级能量高于（1,2,2）。（ ）
A:对 B:错 41.还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）
A:错 B:对 42.建筑材料、黏土质耐火砖、保温砖的热导率随温度的升高而线性升高。（ ）
A:错 B:对 43.根据本征击穿模型可知，击穿强度与试样形状无关,特别是击穿场强与试样厚度无关。（ ）
A:错误 B:正确 44.因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数小于金属。（ ）
A:错 B:对 45.逆压电效应在电场强度不高时即可观察到，其形变与电场强度成正比；电致伸缩只有在场强很强时，才可观察到，其特征是应变的正负与外电场方向无关。（ ）
A:错 B:对 46.根据下图，金属之间形成固溶体时，电导率降低。这是因为溶质原子溶入到溶剂晶格时，溶剂的晶格发生扭曲畸变，破坏了晶格势场的周期性，电子受到散射的几率增加，因而电阻率增高。但晶格畸变不是电阻率改变的惟一因素，固溶体电性能尚取决于固溶体组元的化学相互作用（能带、电子云分布等）。在连续固溶体中，合金成分距组元越远，电阻率也越高，在二元合金中最大电阻率常在50%原子浓度处，而且可能比组元电阻率高几倍。
A:正确 B:错误 47.根据下图解释掺杂的氯化银晶体的电导率变化：本征区电导率正比于[Agi·]，温度T一定时，电导率σ为一平台，温度升高，电导率增大。非本征区，掺入高价正离子Cd2+形成缺陷CdAg·，根据化学计量原理，必然产生空位缺陷VAg’，由于[Agi·][VAg’]=常数.随Cd2+掺入量增大，[VAg’]增大而[Agi·]量就减少，故开始段电导率下降。Cd2+掺入量增大到一定量时，这时空位缺陷VAg’的导电起主导作用。由于VAg’随Cd2+掺杂量增大而增大，因此电导率σ亦相应增大。所以总的电导率先随Cd2+量增大下降后又增大。
A:错误 B:正确 48.压敏效应为对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压下，电阻值非常高，几乎无电流通过，超过该临界电压，电阻迅速降低，让电流通过。（ ）
A:错 B:对 49.具有对称中心或结构任意混乱的介质，不具有一次电光效应，只具有二次电光效应。（ ）
A:错 B:对 50.铁磁物质所表现的顺磁性和一般顺磁性在性质上是相同的，但在温度的起点上有所不同，铁磁性物质的顺磁性是以居里温度为起点，而顺磁性物质是以0K为起点。（ ）
A:对 B:错 51.根据下面一维周期势场中电子能量E与波数k关系图，I区：E与k符合抛物线关系，属于自由电子性质的经典理论；在这一区的底部附近，m*»me。II区：曲线的曲率d2E/d2k为负值，即价带(满带)顶电子质量为负值；第三区为禁带，IV区：曲率为正且大于I区，电子有效质量为正，但较I区轻，此区的电子称为轻电子。
A:错误 B:正确 52.矩磁材料具有高剩磁化比Br/Bs，Hc小，稳定损耗低，开关系数Sw小的特点。（ ）
A:对 B:错 53.陶瓷介质由于介电系数大、表面吸湿等原因，引起离子式高压极化(空间电荷极化)，使表面电场畸变，提高表面击穿电压。（ ）
A:对 B:错 54.在中低温下，传热以声子传导为主；在高温下，传导以光子传导为主。（ ）
A:正确 B:错误 55.电子位移极化率的大小与温度无关。（ ）
A:正确 B:错误 56.软磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滞损耗低、稳定性好的特点。（ ）
A:对 B:错 57.根据下图，在流体静压压缩时（高达1.2GPa），大多数金属的电阻率下降。这是因为在巨大的流体静压条件下，金属原子间距缩小。内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都将发生变化，显然会影响金属的电导率。
A:错误 B:正确 58.同一种晶体中电子的迁移率μe小于空穴的迁移率μh。（ ）
A:错 B:对 59.脆性材料的特点是在弹性形变后没有塑性变形（或塑性变形很小）接着就是断裂，总弹性应变能非常小。（ ）
A:对 B:错 60.相变增韧常用的材料是金属粉末和非金属颗粒。（ ）
A:错 B:对 61.根据表中主要半导体材料的温差电动势系数可以判断ZnO为p型半导体。
A:错误 B:正确 62.在用Y2O3掺杂的ZrO2晶体中，氧空位VO..缺陷占优势（ ）
A:错 B:对 63.根据下图，金属电阻率在不同温度范围与温度变化的关系是不同的，在温度T＞(2/3)θD时，电阻率正比于温度，即ρ(T)＝αT。当T<<θD，电阻率与温度成五次方关系．即ρ∝T5。一般认为纯金属在整个温度区间电阻产生的机制是电子-声子（离子）散射，只是在极低温度（2 K）时，电阻率与温度成2次方关系，即ρ∝T2，这时电子-电子之间的散射构成了电阻产生的主要机制。
A:正确 B:错误 64.根据下图说明费密能级随温度的变化，(a)为n型半导体;(b)为p型半导体;(c)为不同掺杂浓度的n,p型Ge半导体费密能级和温度的关系：n，p型半导体费米能级随温度升高向禁带中央靠近，n型半导体施主浓度越高，能量差(EC-EF)越小，即费米能级往导带底部移近。P型半导体受主浓度越高，能量差(EF-EV)越小，费米能级往价带顶端移近。
A:正确 B:错误 65.判断下述缺陷反应方程是否正确：（ ）
A:错误 B:正确 66.铁电性是由离子位移引起的，而铁磁性则是由原子取向引起的。（ ）
A:对 B:错 67.Cr2+吸收红、橙、黄及紫光，让蓝、绿光通过。（ ）
A:对 B:错 68.在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成负偏压。（ ）
A:错误 B:正确 69.ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.74g/cm3，这种情况下产生置换型固溶体。（ ）
A:对 B:错 70.在实际应用中，I型（掰开型）是最危险的，是低应力断裂的主要因素。因此用I型断裂方式研究材料的断裂问题。（ ）
A:对 B:错 71.高温时固体热容服从 杜隆-珀替定律，低温时固体热容服从 德拜T3定律。（ ）
A:错 B:对 72.在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。p区接电压正极，n区接电压负极，形成负偏压。（ ）
A:对 B:错 73.损耗不完全由自由电荷产生时，复介电常数中依赖于频率而不依赖于频率。（ ）
A:正确 B:错误 74.k空间中的（2,2,1）代表的能级能量高于（1,2,2）。（ ）
A:对 B:错 75.还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）
A:错 B:对 76.建筑材料、黏土质耐火砖、保温砖的热导率随温度的升高而线性升高。（ ）
A:错 B:对 77.根据本征击穿模型可知，击穿强度与试样形状无关,特别是击穿场强与试样厚度无关。（ ）
A:错误 B:正确 78.因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数小于金属。（ ）
A:错 B:对 79.逆压电效应在电场强度不高时即可观察到，其形变与电场强度成正比；电致伸缩只有在场强很强时，才可观察到，其特征是应变的正负与外电场方向无关。（ ）
A:错 B:对 80.根据下图，金属之间形成固溶体时，电导率降低。这是因为溶质原子溶入到溶剂晶格时，溶剂的晶格发生扭曲畸变，破坏了晶格势场的周期性，电子受到散射的几率增加，因而电阻率增高。但晶格畸变不是电阻率改变的惟一因素，固溶体电性能尚取决于固溶体组元的化学相互作用（能带、电子云分布等）。在连续固溶体中，合金成分距组元越远，电阻率也越高，在二元合金中最大电阻率常在50%原子浓度处，而且可能比组元电阻率高几倍。
A:正确 B:错误 81.根据下图解释掺杂的氯化银晶体的电导率变化：本征区电导率正比于[Agi·]，温度T一定时，电导率σ为一平台，温度升高，电导率增大。非本征区，掺入高价正离子Cd2+形成缺陷CdAg·，根据化学计量原理，必然产生空位缺陷VAg’，由于[Agi·][VAg’]=常数.随Cd2+掺入量增大，[VAg’]增大而[Agi·]量就减少，故开始段电导率下降。Cd2+掺入量增大到一定量时，这时空位缺陷VAg’的导电起主导作用。由于VAg’随Cd2+掺杂量增大而增大，因此电导率σ亦相应增大。所以总的电导率先随Cd2+量增大下降后又增大。
A:正确 B:错误 82.压敏效应为对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压下，电阻值非常高，几乎无电流通过，超过该临界电压，电阻迅速降低，让电流通过。（ ）
A:错误 B:正确 83.具有对称中心或结构任意混乱的介质，不具有一次电光效应，只具有二次电光效应。（ ）
A:错误 B:正确 84.铁磁物质所表现的顺磁性和一般顺磁性在性质上是相同的，但在温度的起点上有所不同，铁磁性物质的顺磁性是以居里温度为起点，而顺磁性物质是以0K为起点。（ ）
A:正确 B:错误 85.根据下面一维周期势场中电子能量E与波数k关系图，I区：E与k符合抛物线关系，属于自由电子性质的经典理论；在这一区的底部附近，m*»me。II区：曲线的曲率d2E/d2k为负值，即价带(满带)顶电子质量为负值；第三区为禁带，IV区：曲率为正且大于I区，电子有效质量为正，但较I区轻，此区的电子称为轻电子。
A:错误 B:正确 86.矩磁材料具有高剩磁化比Br/Bs，Hc小，稳定损耗低，开关系数Sw小的特点。（ ）
A:错 B:对 87.陶瓷介质由于介电系数大、表面吸湿等原因，引起离子式高压极化(空间电荷极化)，使表面电场畸变，提高表面击穿电压。（ ）
A:对 B:错 88.在中低温下，传热以声子传导为主；在高温下，传导以光子传导为主。（ ）
A:正确 B:错误 89.电子位移极化率的大小与温度无关。（ ）
A:正确 B:错误 90.软磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滞损耗低、稳定性好的特点。（ ）
A:错 B:对 91.根据下图，在流体静压压缩时（高达1.2GPa），大多数金属的电阻率下降。这是因为在巨大的流体静压条件下，金属原子间距缩小。内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都将发生变化，显然会影响金属的电导率。
A:正确 B:错误