- 同一种材料的薄板和厚版相比，断裂韧性更大。（ ）
- 材料表面制造大量细小裂纹可以降低能量，减缓裂纹的扩展，从而使材料的强度增加。（ ）
- 在材料表面制造大量细小裂纹可以降低表面长裂纹出现的几率。（ ）
- 平面应变断裂强度小于平面应力断裂强度。（ ）
- 相对于材料抗弯曲强度，材料的抗弯强度更大，因为它的应力分布不均匀，提高了断裂强度。（ ）
- 平行于受拉应力方向上投影最长的裂纹是材料的最危险裂纹。（ ）
- 垂直于受拉应力方向上投影最长的裂纹是材料的最危险裂纹。（ ）
- 多晶材料多是沿晶界断裂。（ ）
- 同种物质，单晶材料强度大于多晶材料。（ ）
- 无机（多晶）材料的强度与其晶粒大小有关：晶粒越小，强度越高。（ ）
- 极细的纤维或晶须等材料的强度可以接近其理论结合强度。（ ）
- 平面应变断裂韧性即临界应力场强度因子。（ ）
- 安全系数是指屈服强度或断裂强度与允许应力的比值。（ ）
- 裂纹扩展对应的弹性应变能的降低的过程中，裂纹扩展形成新的表面，部分弹性应变能转换为表面能。（ ）
- 材料的尺寸效应是指尺寸越大的材料包含的缺陷（危险裂纹）越多，因此同材质大试件的强度偏低。（ ）
- 由理论结合强度是计算公式，可以看出材料的理论结合强度与材料的弹性模量、断裂表面能以及原子间距离的关系为：材料的理论结合强度与其弹性模量和断裂表面能成正相关，与原子间距成负相关。（ ）
- 无机材料的抗拉强度和抗压强度差异明显，抗拉强度约为抗压强度十倍。（ ）
- 由弹性理论临界强度公式，下面各选项中不是提高材料强度的思路的是（ ）
- 一陶瓷材料的断裂韧性为1.62MPa.m2，该材料制成的零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边裂长度为2 um，求零件的临界应力。( )
- 无限大板A、B受拉力，已知板A含贯穿裂纹长度为2a= 40.8mm，板B含贯穿裂纹长度为2a= 5.7mm，外加应力均为250MPa，材料的断裂韧度KC=63.25MPam2，则板A、B是否会发生断裂。( )
- “具有极大的弹性形变，没有残余形变”，是以下哪种材料的特征。( )
- 什么材料更容易发生脆性断裂。( )
- 有一厚度t=5mm，宽2b=340mm的平板，具有中心贯穿裂纹，裂纹长为2a=16mm，板端受拉力F=1.3MN。若材料σs=1210MPa,KIc=4030MPa(mm)0.5。板的应力强度因子为多少，能否正常工作。（ ）
- 无限大板A、B受拉力，已知板A含贯穿裂纹长度为2a= 40.8mm，板B含边缘穿透裂纹长度为2a= 37mm，外加应力均为250MPa，材料的断裂韧度KC=63.25MPam2，则板A、B是否会发生断裂。( )
- 设有无限大板A，含有边缘穿透裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（ ）
- 设有无限大板A，含有贯穿性裂纹，其中裂纹长度为2a，受拉应力作用，A板拉应力为σ，其裂纹尖端应力强度因子为多少（ ）
- 裂纹扩展是能量不会以何种方式放出（ ）
- 一陶瓷材料的断裂韧性为1.62MPa.m2，该材料制成的零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边裂长度为2mm，求零件的临界应力。( )
- 一陶瓷三点弯曲试件，在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图。如果E=380 Gpa，μ=0.24，求KIc值，设极限荷载达50Kg。计算此材料的断裂表面能。( )
- 融熔石英玻璃的性能参数为：E=73 Gpa；γ=1.56 J/m2；理论强度σth=28 Gpa。如材料中存在最大长度为2μm的内裂，且此内裂垂直于作用力方向，计算由此导致的强度折减系数。( )
- 求融熔石英的结合强度，设估计的表面能为1.75J/m2; Si-O的平衡原子间距为1.6*10-8cm;弹性模量从60到75Gpa。( )
- 关于不同因素对蠕变的影响，错误的是（ ）
- 正应力的方向____于作用面，剪应力的方向____于作用面（ ）
- 关于应变蠕变和应力弛豫，以下说法正确的是（ ）
- 氧化铝晶体，硬质橡胶，硼硅酸盐玻璃三者弹性模量的大小关系为（ ）
- 关于剪应力与粘度的关系，正确的说法是（ ）
- fcc，hcp，bcc三种不同堆积的金属，其塑性的大小关系为（ ）
- 灰铸铁弹性模量为111.8GPa，刚性模量为44GPa，它的泊松比为（ ）
- 一陶瓷含体积百分比为95%的TiC（E=310GPa）和5%的玻璃相（E=74GPa），则其上限及下限弹性模量分别为（ ）
- 一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的气孔率为5%，根据公式计算其弹性模量约为（ ）
- 从磁畴的角度解释磁化的原理：由于各个磁畴之间彼此取向不同，无外磁场条件下首尾相连，形成闭合磁路，磁性材料在空气中的自由静磁能为0，对外不显磁性，只有通过充分磁化，使材料各磁畴的空间取向趋于一致，才能使材料呈现出很大的磁化强度，从而得到应用。（ ）
- 铁氧体包含：石榴石型，磁铅石型、钙铁矿型，钛铁矿型，乌青铜型等。（ ）
- 矩磁材料常用作记忆元件、开关元件、逻辑元件等等。（ ）
- 软磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滞损耗低、稳定性好的特点。（ ）
- 铁氧体是指含铁酸盐的陶瓷磁性材料，都存在自发磁化和磁畴，显亚铁磁性。（ ）
- 磁滞回线中矫顽力Hc：铁磁物质磁化到饱和后，由于磁滞现象，要使磁介质中B为零，须施加一定的反向磁场强度-H，该磁场强度的绝对值为矫顽力Hc。（ ）
- 磁滞回线中对应的B值（M值），此时材料内部磁矩取向基本完全与外磁场反向相同，材料磁感应强度达到饱和。（ ）
- 磁滞回线中饱和磁感应强度Bs（磁化强度Ms）是指在指定温度下，用足够大的磁场强度磁化物质时，磁化曲线接近水平时，不再随外磁场增大而明显增大。（ ）
- 自发磁化是指在外部交换场作用下，原子磁矩趋于同向排列，自生出磁化强度。（ ）
- 自发磁化是指在内部交换场作用下，原子磁矩趋于同向排列，自生出磁化强度。（ ）
- 居里温度是指铁磁性和顺磁性的转变温度或者铁磁性体表现出铁磁性的最高温度。（ ）
- 铁磁性的本质是在外电场作用下的畴壁运动和磁筹内磁矩转向。（ ）
- 外磁场使物质中的磁矩有规则取向，使物质表现出宏观磁性。（ ）
- 物质磁性的来源是电子轨道磁矩和电子自旋磁矩，电子自旋磁矩为主。（ ）
- 在外磁场存在下材料内磁化强度为负时，固体表现为抗磁性。（ ）
- 从对磁畴组织的观察中，可以看到有的磁畴大而长，称为主畴，其自发磁化方向必定沿晶体的易磁化方向。（ ）
- 一个波尔磁子的大小为（ ）
- 下列的磁性中属于强磁性的是（ ）
- 反型尖晶石结构Zn0.2Mn0.8Fe2O4的单位体积饱和磁矩为（ ）
- 当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时，Cd离子仍保持正型分布。试计算下列组成的磁矩：CdzFe3O4。（ ）
- 建筑材料、黏土质耐火砖、保温砖的热导率随温度的升高而线性降低。（ ）
- 低温时有较高热导率的材料的热导率随温度的升高而降低，低温时有较低热导率的材料的热导率随温度的升高而升高。（ ）
- 在不改变材料结构的情况下，气孔率的增大总是使材料的热导率升高。（ ）
- 在较高温度下，固溶体材料的热导率的杂质效应与温度无关。（ ）
- 晶体和非晶体材料的导热系数在高温时比较接近。（ ）
- 同种物质的单晶体与多晶体相比，单晶体的热导率低。（ ）
- 晶体中的缺陷、杂质和晶粒界面都会引起格波的散射，等效于声子平均自由程的减少从而降低热导率。（ ）
- 声子平均自由程越大，晶体热导率越小。（ ）
- 氧化锆在1000 ℃附近发生晶型的转变，会造成4%左右的体积变化，使所组成的材料的热稳定性降低，加入MgO、CaO、Y2O3等氧化物作为稳定剂，与ZrO2形成立方晶型的固溶体，能做成稳定的氧化锆。（ ）
- 高温时固体热容服从德拜T3定律，低温时固体热容服从杜隆-珀替定律。（ ）
- 一热机部件由反应烧结氮化硅（第一热应力因子R=547℃）制成，一些基本性能参数如下：热导率λ=0.184J/(cm·s·℃)，α=2.5×10-6/℃;σf=310MPa.E=172GPa,μ=0.24.则其第一及第二热冲击断裂抵抗因子的值分别为（ ）
- 在单晶体、多晶体、多孔烧结体、纤维和粉末五种材料中，哪几种常用作隔热保温材料？（ ）
- 单晶氧化铝、致密多晶氧化铝、多孔烧结氧化铝、粉体氧化铝的热导率从大到小的顺序依次为（ ）
- Al2O3的一些基本性能参数为：α=7.4×10-6/℃;σf=345MPa.E=379GPa,μ=0.22.则其第一及热冲击断裂抵抗因子R的值为（ ）℃。
- 如果二氧化钛多晶材料中含有5.00%体积的气孔，假定无气孔二氧化钛多晶在1000 ℃下的热导率为0.0400 J/(s·cm·℃)，试计算这种材料的热导率大约是多少? ( )
- 金刚石、硅和锗导热率的大小顺序为（ ）
- 下列四种物质，导热率最小的是（ ）
- 光子热传导的表示方法正确的是（ ）
- Li、 Na、 K、 Rb、 Cs、 Fr 的 IA 族的热膨胀系数α随原子序数增加而 ，其余主族都随原子序数增加，α 。（ ）
- 气孔对固体的摩尔热容，体积热容有无影响？（ ）
- 非线性光学晶体的主要应用是激光频率转换。（ ）
- 作为红外透过材料使用时，晶体的透过长波限较大。（ ）
- 对于激光器，三能级系统比四能级系统工作效率更高。（ ）
- 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。（ ）
- Cr2+吸收红、橙、黄及紫光，让蓝、绿光通过。（ ）
- 发磷光的材料往往含有杂质并在能隙附近建立了施主能级。（ ）
- 均匀的介质（折射率n处处相等）可以发生散射。（ ）
- 0.85 μ m波长在光纤中传播，该光纤材料色散为0.1ns/km·nm，那么，0.825 μ m和0.875 μ m光源的延时差是多少ns/km？（ ）
- 某种材料在空气中的布儒斯特角为58°，求该材料的折射率（空气的折射率约为1）。（ ）
- ZnS禁带宽度为3.6eV，ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发光波长并确定发光类型。（ ）
- 某种介质的吸收系数αa=0.32cm-1，透射光强为入射光强的10%时，该介质的厚度为（ ）cm。
- 以下哪种材料的折射率最大？（ ）
- 结晶各向异性随温度升高而降低，自发极化重新取向克服的应力阻抗较小;同时由于热运动，电畴运动能力加强，所以在极化电场和时间一定的条件下，极化温度高电畴取向排列较易，极化效果好。（ ）
- 石英晶体有压电效应，但无自发极化，所以它是压电晶体，而不是铁电体。钛酸钡晶体具有自发极化，又有压电效应，所以钛酸钡晶体被称为铁电晶体。（ ）
- 一般在外电场用下(人工极化)，90°电畴转向比较充分，同时由于“转向”时结构畸变小，内应力小，因而这种转向比较稳定，而180°电畴的转向是不充分的。（ ）
- 一般材料,在高温、低频下,主要为电离损耗,在常温、高频下,主要为松驰极化损耗,在高频、低温下主要为结构损耗。（ ）
- 矫顽场强和饱和场强随温度升高而降低。所以在一定条件下，极化温度较高,可以在较低的极化电压下达到同样的效果。( )
- 当外加电场频率ω很低, 即ω→0,介质的各种极化机制都能跟上电场的变化, 此时不存在极化损耗,相对介电常数最大。( )
- 在直流电下，介质损耗不仅与自由电荷的电导有关，还与松弛极化过程有关，所以它不仅决定于自由电荷电导，还与束缚电荷产生有关（与频率有关的量）。（ ）
- 由样品的电容充电所造成的电流，简称电容电流，引起的损耗称为电导损耗。（ ）
- 频率很高时，无松弛极化，只存在电子和离子位移极化。（ ）
- 离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（ ）
- 电子很轻, 它们对电场的反应很快,可以以光频跟随外电场变化。（ ）
- 结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率越大。（ ）
- 钛酸钡晶体的独立的压电常数为哪三个？（ ）
- 以下哪一项时用矩阵表示的钛酸钡晶体压电常数。（ ）
- 一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。求相对介电常数（ ）
- 如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc 时, 则超导态被破坏。（ ）
- 若把温度T 从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（ ）
- 阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（ ）
- 研究碱卤化合物的电导激活能发现，负离子半径增大，其正离子激活能显著降低，这样离子电导率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（ ）
- 亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（ ）
- 氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（ ）
- 晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（ ）
- ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（ ）
- 在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（ ）
- 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （ ）
- 半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（ ）
- EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（ ）
- 砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（ ）
- GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（ ）
- 化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（ ）
- II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（ ）
- 一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（ ）
- 在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ）
- 金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（ ）
- 同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（ ）
- 俘获了空穴的阳离子空位为F心。（ ）
- 导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（ ）
- 处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（ ）
- 在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（ ）
- n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（ ）
- 空间电荷层形成耗尽层，材料表面电导率降低。（ ）
- 当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（ ）
- 金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（ ）
- 电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（ ）
- 离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（ ）
- 因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（ ）
- 如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（ ）
- 根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成连续固溶体电阻率变化情况的是（ ）。
- 设有一条内径为30mm的厚壁管道，被厚度为0.1mm的铁膜隔开，通过向管子一端向管内输入氮气，以保持膜片一侧氮气浓度为1200mol/m3，而另一侧的氮气浓度为100mol/m3。如在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s，求此时氮气在铁中的扩散系数。( )
- 在（773K）所做扩散实验指出，在金属1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置，在时，此比例会增加到109，问：（1）此跳跃所需要的激活能？（2）在（973K）具有足够能量的原子所占的比例为多少？( )
- 空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变）（ ）
- 已知CaO的肖特基缺陷生成能为6ev，欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点（2600℃）都是非本征扩散，要求三价杂质离子的浓度是多少？（ ）
- TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（ ）
- 高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.2mol%ZrO2，固溶体分子式为：（ ）
- 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ）
- 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？ （ ）
- 方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（ ）
- 透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（ ）
- 已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3，掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( )
- n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ）
- 单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（ ）。
- 硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度 N= 8.8×1018/cm3,计算300 K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5 eV/K）（ ）
- 已知NaCl的A1=5.0×107 s·m-1，W1=169 kJ/mol，A2=50 s·m-1，W2=82kJ/mol；计算在300 K时的电导率。（ ）
- 已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5 eV，求300K时的离子迁移率为（ ）。
- 下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（ ）
- 以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（ ）
- 体心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（ ）
- Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（ ）
- Cu的密度8.92g/cm3，原子量为63.55，计算Cu的EF0（ ）
- 如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ）
- 计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（ ）
- 三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（ ）
- 下图中二维正方格子的第二布里渊区的形状为（ ）
- 费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（ ）的能级能量
- 量子自由电子学说认为自由电子的行为服从（ ）
- 霍尔系数只与金属中的（ ）有关。
- 对于二维正方格子，第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍（ ）
- 比较碱金属元素Li、Na、K、Rb、Cs的费密能大小（ ）
答案:对
答案:对
答案:对
答案:对
答案:对
答案:对
答案:对
答案:错
答案:对
答案:对
答案:对
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