第二章 电力电子器件：电力电子器件是电力电力电子电路的基础，掌握不同类型的电力电子器件的特性和使用方法是学好电力电子技术的基础。本章将学习到不可控电力电子器件（电力二极管）、半控型电力电子器件（晶闸管）、全控型电力电子器件（MOSFET和IGBT）以及新型电力电子器件和集成模块。2.1电力电子器件概述:掌握电力电子器件概念和特征，重点掌握电力电子器件分类[单选题]擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。 选项:[对, 错]
2.2电力二极管:重点掌握电力二极管的基本特性，掌握电力二极管的主要参数及电力二极管的主要类型。
2.3半控型器件—晶闸管:晶闸管的结构和工作原理，晶闸管的基本特性，晶闸管的主要特性参数
2.4门极可关断晶闸管（GTO）:GTO的结构和工作原理，GTO的动态特性，GTO的主要参数
2.5电力场效应晶体管 MOSFET:电力MOSFET的结构和工作原理，电力MOSFET的基本特性，电力MOSFET的主要参数
2.6绝缘栅双极性晶体管及其他新型全控型器件和模块:电力晶体管，绝缘栅双极晶体管，其他新型全控型器件和模块
2.7电力电子器件的驱动和保护:电力电子器件的驱动，电流驱动型器件的驱动电路电压驱动型器件的驱动电路
2.8电力电子器件的保护、串并联使用:电力电子器件的保护，电力电子器件的串联和并联使用。电力MOSFET和IGBT并联运行的特点
2.1不可控电力电子器件:电力二极管是典型的不可控电力电子器件，自20世纪50年代初期就获得应用，直至现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备中。某些特殊类型的电力二极管如快恢复二极管和肖特基二极管，在某些电力电子电路中具有不可替代的地位。
2.2半控型电力电子器件:晶闸管即晶体闸流管，又称作可控硅整流器，于1956年由美国贝尔实验室发明。由于晶闸管开通时刻可以控制，且各方面性能优越，受到当时市场普遍欢迎，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。自20世纪80年代以来，晶闸管的地位开始被各种性能更好的全控型器件所取代，但由于其承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的，因此在大容量应用场合仍然具有比较重要的地位。
2.3全控型电力电子器件:20世纪80年代以来，产生了一批高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术带入一个全新时代。电力MOSFET和IGBT是全控型电力电子器件的典型代表，它们的特点是开关速度快、热稳定性好、所需驱动功率小，逐渐成为中、大功率电力电子设备的主导器件。
2.4新型电力电子器件与集成模块:与电力MOSFET和IGBT同时出现的，还有其他新型电力电子器件，如静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH、集成门极换流晶闸管IGCT。以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的宽禁带半导体材料的出现，将电力电子器件向更优性能方向推进。以功率集成电路和集成电力电子模块为代表的电力电子集成技术，可在减小装置体积，提高可靠性，降低制造、安装、使用和维护成本等方面带来好处，因此具有广阔的应用前景。
[单选题]当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流IC迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，称为
选项:[临界饱和 , 一次击穿 , 反向击穿, 二次击穿 ]
[单选题]电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管，所以不能承受反向电压。（ ）选项:[错, 对]
[单选题]下面哪种器件属于电压驱动型( )选项:[gtr
, igbt
, gto
, scr
]
[单选题]使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。 选项:[错, 对]
[单选题]可关断晶闸管(GTO)是一种( )结构的半导体器件。
选项:[五层三结, 四层三结 , 三层二结 , 三层三结]
[单选题]能用控制信号控制开通，但不能控制关断的功率半导体器件，称为半控型器件。 选项:[对, 错]
[单选题]按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、 双极型、混合型三种。 选项:[错, 对]
[单选题]下面属于外因过电压的是选项:[电力二极管关断过电压 , 晶闸管反向阻断恢复过电压, IGBT关断过电压
, 雷击过电压
]
[单选题]晶闸管串联工作时为了防止静态不均压，可采用并联均压电阻的办法。选项:[错, 对]
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