第五章单元测试
- P型半导体中少数载流子是（ ）。
- 当温度升高时，关于本征半导体中的载流子数量的变化下面说法正确的是（ ）。
在图1所示电路中，二极管VD1、VD2、VD3的工作状态为（ ）。
图示电路中，设二极管为理想二极管，则输出电压uo为（ ）。
电路如图所示，二极管VD1，VD2 均为理想元件，则电压 UO =（ ）。
电路如图所示，二极管VD为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（ ）。
- PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（ ）。
- 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别是9V、3.4V和4V，则这个管子的三个极分别是（ ）。
- 稳压管反向击穿后，其结果为（ ）。
A:负离子
B:正离子
C:空穴
D:自由电子
答案:自由电子
A:空穴个数增加，自由电子个数基本不变
B:自由电子个数增加，空穴个数基本不变
C:空穴和自由电子的个数都增加，且数量相等
D:空穴和自由电子的个数均保持不变
A:VD1，VD2，VD3均导通
B:VD1，VD3截止， VD2导通
C:VD1，VD2截止，VD3导通
D:VD1导通，VD2，VD3截止
A:-6V
B:12V
C:-12V
D:6V
A:10V
B:-10V
C:15V
D:0V
A:2V
B:3V
C:7V
D:5V
A:不可以调换使用
B:不确定
C:PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D:可以调换使用
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结反偏，集电结正偏
C:发射结、集电结均反偏
D:发射结、集电结均正偏正确的
A:E,C,B
B:其余选项都不正确
C:C,B,E
D:C,E,B
A:永久性损坏
B:由于击穿而导致短路
C:由于击穿而导致性能下降
D:只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
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