半导体技术导论第六章测试_智慧树知到答案2021年

第六章 半导体工艺：本章重点介绍了半导体制备工艺流程中核心工艺技术，包括单晶硅生长、掺杂、镀膜、光刻、腐蚀、金属化等加工技术。6.1硅晶体生长和掺杂:本节主要介绍了单晶硅生长技术以及在生长过程中的掺杂技术
6.2化学气相沉积:本节主要介绍CVD技术的特征、实验装置以及具体应用
6.3分子束外延生长:本节主要介绍MBE技术的特征、实验装置以及具体应用
6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化:本节主要介绍了半导体器件工艺中的热氧化、离子扩散和离子注入技术
6.5光刻:本节主要介绍了光刻过程中的几个关键技术
6.6蚀刻与金属化:本节主要介绍了半导体工艺中的蚀刻技术以及金属层沉积技术

[判断题]化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。
对
错
答案：错
[单选题]12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。
厚度
器件大小
半径
直径[判断题]利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。
错
对[单选题]以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？
电子级硅晶体
晶锭
冶金级硅晶体
石英砂[判断题]利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
对
错[判断题]利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
对
错[判断题]通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
对
错[单选题]以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？
IGZO
Si 
GaN
GaAs [单选题]以下哪种不属于化学气相沉积法
MOCVD
LPCVD 
PECVD
DPCVD [判断题]化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体
对
错