第二章测试1.如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（ ）。
A:表面预非晶化
B:表面用
掩膜 C:增加注入能量
D:增加注入剂量
答案:C
2.下列哪个杂质允许在硅中存在的？( )
A:O
B:C
C:Na
D:Cu
3.硅的四种掺杂方式有以下几种？（ ）
A:中子嬗变掺杂
B:扩散掺杂法
C:离子注入
D:原位掺杂
4.金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（ ）
A:错 B:对 5.硅的解理面为（110）面。 （ ）
A:错 B:对 6.对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的____。
7.硅中点缺陷分____缺陷和____缺陷。
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