微电子工艺学A答案2023

第八章测试

1.常压的硅外延方法有（ ）：
A:四氯化硅氢还原法
B:三氯氢硅氢还原法
C:二氯氢硅烷法
D:硅烷热分解法

答案:ABCD
2.物理气相沉积方法有（ ）。
A:等离子体增强化学气相沉积
B:磁控溅射
C:热蒸发
D:电子束蒸发
3.化学气相沉积是在超高真空条件下进行反应。( )
A:对 B:错 4.分子束外延制备薄膜主要是在衬底上发生化学反应。（ ）
A:对 B:错 5.蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（ ）
A:错 B:对 6.CVD技术的分类：按淀积温度，可分为低温、____、____。
7.CVD技术的分类：按反应器内的压力，可分为____、____。