第十章测试1.进行光刻工艺前的清洗步骤是（ ）。
A:碱溶液清洗
B:有机溶液清洗
C:HF结尾的清洗工艺
D:去离子水冲洗
答案:C
2.光刻工艺的设备核心是（ ）。
A:掩膜版
B:对准和曝光
C:光刻机
D:光刻胶
3.光刻工艺的特点包括：（ ）
A:决定特征尺寸的关键工艺
B:光刻与芯片的价格和性能密切相关
C:光刻工艺过程复杂
D:复印图像和化学作用相结合的综合性技术
4.光刻工艺对准误差包括：（ ）。
A:上下偏移
B:X或Y方向的平移
C:转动
D:套准误差
5.曝光波长越短约好。（ ）
A:对 B:错 6.正性光刻胶显影后可用____进行清洗。
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