第九章测试1.刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移? ( )
A:氧化
B:离子注入
C:光刻
D:抛光
答案:C
2.下列选项哪个不是干法刻蚀优点？ （ ）
A:好的CD控制
B:设备便宜
C:化学品使用低
D:好的侧面控制
3.刻蚀参数有：（ ）。
A:选择比
B:刻蚀速率
C:均匀性
D:刻蚀偏差
4.刻蚀过程中聚合物形成的来源有：（ ）。
A:光刻胶
B:Si衬底
C:刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D:刻蚀溶液
5.干法刻蚀工艺中不存在化学反应。( )
A:错 B:对 6.____是各向异性刻蚀技术。
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