第十四章测试1.集成电路制造中所涉及的器件主要是（ ）。
A:二极管
B:电阻
C:CMOS晶体管
D:放大器
答案:C
2.下面哪个不是单电子晶体管的特点？（ ）
A:中间的栅极为一量子点
B:工作原理是基于库伦阻塞效应
C:制备工艺简单
D:功耗小
3.IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（ ）。
A:特征线宽等有关尺寸缩小α倍, 集成度提高α倍
B:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,而单位芯片面积的功耗不变
C:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,单元电路的功耗下降α2倍,
D:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,电路速度可增加α倍,
4.CE定律发展面临的问题（ ）。
A:工艺实现存在问题
B:源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C:阈值电压不可能缩的太小
D:电源电压标准的改变会带来很大的不便
5.纳米器件的基本特征有（ ）。
A:量子尺寸限域效应
B:小尺寸效应
C:量子遂穿效应
D:库伦阻塞效应
6.碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。（ ）
A:对 B:错
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