微电子工艺学A答案2023

第五章测试

1.硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为 （ ）
A:30 nm
B:10 nm
C:20 nm
D:25 nm

答案:D
2.湿氧氧化采用的氧化水温是（ ）。
A:95度
B:90度
C:80度
D:75度
3.消除鸟嘴效应的方法有（ ）。
A:选择合适的掩蔽膜
B:在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C:退火
D:高压氧化工艺
4.鸟嘴效应造成的不良影响有（ ）。
A:有效栅宽变窄
B:电流减少
C:电容增加
D:电阻增大
5.重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。 （ ）
A:错 B:对 6.晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（ ）
A:对 B:错 7.迪尔-格罗夫（Deal-Grove）氧化模型中，氧化物有两个生成阶段描述：____和____。
8.在规定的地方热生长形成氧化膜，其它地方要用掩蔽膜遮盖起来，这叫____或____。