第一章测试1.
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V
A:对 B:错
答案:A
2.
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V
A:错 B:对
答案:B
3.
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于( )V
A:2 B:1 C:0 D:3
答案:C
4.
电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=( )V
A:2.1 B:2.3 C:2.2 D:2.4
答案:B
5.
稳压管的动态电阻愈大,稳压性能也就愈好
A:错 B:对
答案:A
6.
稳压管的正常工作区是反向区
A:对 B:错
答案:B
7.
二极管恒压降模型,是指二极管承受正向电压导通时,其管压降为恒定值,且不随电流而变化
A:对 B:错
答案:A
8.
扩散电容是PN结加正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A:错 B:对
答案:B
9.
当电源的正极接P区,负极接N区,称为PN结加正向电压,也称PN结正向偏置
A:错 B:对
答案:B
10.
在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A:对 B:错
答案:A
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