模拟电子技术基础（山东理工大学）答案2023

第一章测试

1.

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V

A:错 B:对
答案:B
2.

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V

A:对 B:错
答案:A
3.

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（   ）V

A:1 B:0 C:2 D:3
答案:B
4.

电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（  ）V

A:2.2 B:2.1 C:2.3 D:2.4
答案:C
5.

稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好

• 
  

A:错 B:对
答案:A
6.

稳压管的正常工作区是反向区

A:错 B:对
答案:A
7.

二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化

A:错 B:对
答案:B
8.

扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的

A:错 B:对
答案:B
9.

当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置

A:对 B:错
答案:A
10.

在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度

A:错 B:对
答案:B