模拟电子技术基础（山东理工大学）答案2023

第三章测试

1.

N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内           。

A:为正 B:可正可负 C:为负
答案:B
2.

N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压

A:错 B:对 3.

结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置，因此，其输入电阻很高。

A:错 B:对 4.

跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系，Q点越高，gm越小

A:对 B:错 5.

输入加在栅极和源极间的输入回路，输出加在漏极和源极间的输出回路，这为共源极放大电路。

A:错 B:对 6.

如图所示的放大电路中，已知V_DD=30V，R₁=30 ，R₂=200 ，R_d=15 ，R_s=1 ，R_g=20 ，负载电阻R_L=1 ，场效应管在Q点处的跨导g_m=1.5mS。

A:对 B:错 7.

求输出电阻表达式为

A:错 B:对 8.

在图所示的放大电路中，已知V _DD=30V，R ₁=30 ，R ₂=200 ，R _d=15 ，R _s=1 ，R _g=20 ，负载电阻R _L=1 ，场效应管在Q点处的跨导g_m=1.5mS

计算电压放大倍数为
A:对 B:错 9.

求静态工作点的步骤为是否正确？

A:错 B:对 10.

N沟道结型场效应管正常工作，当uGS负向增大时，沟道电阻增大，iD将减小

A:错 B:对