四川职业技术学院
- 化合物半导体材料砷化镓的优点有它的材料电阻率更大，使得在砷化镓上制造半导体器件之间的隔离很容易，砷化镓期间还具有更高的抗辐射性能，在军事和太空应用中具有很大的优势。（ ）
- 集成电路制造中的薄膜沉积工艺可以通过物理气相沉积和化学气相沉积两种方式实现。（ ）
- Si在空气中不容易氧化。（ ）
- CMP是目前主流的一种掺杂方式。（ ）
- 干氧氧化生长速度块。（ ）
- APCVD均匀性较好、气体消耗肖、且台阶覆盖能力强。（ ）
- 集成电路制造中的金属化工艺用于在芯片表面形成金属导线层。（ ）
- 钨塞形成之前不能淀积薄的Ti和TiN层。（ ）
- CVD中的化学反应发生在硅片内部。（ ）
- Si的禁带宽度为1.12eV，值相对Ge更大。（ ）
- 绝缘体隔离只有局部氧化隔离。（ ）
- HF不能用于清洗SiO2。（ ）
- 集成电路制造中的退火工艺只能改善硅片的晶体结构，不能改善其电学性能。（ ）
- 比色法不能判定氧化层厚度。（ ）
- 金属杂质不会引起MOS阈值电压改变。（ ）
- 金属溅射能溅射难熔金属。（ ）
- 掺杂有一种方式，扩散。（ ）
- 集成电路制造中的刻蚀工艺只能用于去除不需要的材料，不能用于形成所需的电路结构。（ ）
- 半导体材料有N型和P型和C型之分。（ ）
- 集成电路制造中的退火工艺用于改善硅片的晶体结构和电学性能。（ ）
- 绝缘物隔离的两种隔离技术是局部氧化隔离工艺， 浅槽隔离。（ ）
- 化学机械平坦化指的是CMP是在具有化学活性的研磨液、运动的抛光垫和施加研磨压力并旋转的抛光头的作用下研磨硅片的表面的薄膜达到平坦化的技术。（ ）
- 光刻的目的是将掩膜版上的图形转移到晶圆内部。（ ）
- 关键尺寸CD值一定程度上代表了生产厂家的技术水平。（ ）
- 等离子清洗不属于全干法清洗。（ ）
- 集成电路制造中的金属化工艺用于在芯片表面形成金属导线层，但不能用于形成其他金属结构。（ ）
- 集成电路不是以半导体材料为基础做成的。（ ）
- 超声波作用下不会产生近真空的“空腔泡”。（ ）
- 光刻工艺是集成电路制造中最重要的工艺之一，用于将电路图案转移到硅片上。（ ）
- 集成电路制造中的刻蚀工艺用于去除不需要的材料，以形成所需的电路结构。（ ）
- Al的缺点之一是其价格高昂。（ ）
- 反应离子刻蚀结合了物理刻蚀和生物刻蚀。（ ）
- 进行氢氧合成时，应注意的操作事项是氢氧合成时，最关键的参数是要严格保证合成时氢气和氧气的比例配方，合成时，按照氢气和氧气的质量比为2:1的比例通入，若氧气含量过大，会导致反应时系统发生爆炸。（ ）
- 制造集成电路的第一步是设计电路图纸。（ ）
- 薄膜沉积工艺是将金属或氧化物等材料沉积在硅片表面形成薄膜的工艺。（ ）
- 在集成电路制造中，常用的材料包括硅、金属、氧化物等。（ ）
- 集成电路制造中的掺杂工艺用于在硅片中引入掺杂物，以改变硅片的电学特性。（ ）
- 接触式光刻机存在沾污问题。（ ）
- 实发刻蚀反应生成物不一定是气体或者溶于刻蚀剂的物质。（ ）
- 集成电路制造中的薄膜沉积工艺只能通过物理气相沉积的方式实现，不能使用化学气相沉积。（ ）
- 以下采用什么方法不能够将半导体级多晶硅转换成单晶硅？（ ）。
- 以下选项中，光刻设备主要分为（ ）。
- 以下属于淀积成膜的主要技术？（ ）。
- 以下属于影响二氧化硅氧化速度的因素有哪些？（ ）。
- 以下不属于集成电路的发展趋势是什么？（ ）。
- 引入铜金属化的原因包括（ ）。
- 以下不是集成电路制造的主要工艺有哪些？（ ）。
- 互联金属转向铜时所面临的三大主要挑战不包括（ ）。
- 以下哪一个不是器件隔离的方法？（ ）。
- 以下不属于检测清洗工艺的质量的方式的是（ ）。
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:区熔法 B:合金法 C:涂覆法 D:直拉法
A:接近式光刻机 B:步进扫描光刻机 C:其余都是 D:扫描投影光刻机 E:分步重复光刻机 F:接触式光刻机
A:旋涂法 B:化学气相淀积（cvd） C:蒸发 D:其余都是 E:物理气相淀积（pvd或溅射） F:电镀
A:氧化剂分压 B:衬底表面势 C:其余都是 D:温度 E:氧化气氛
A:提高芯片的性能 B:增大芯片的线宽 C:降低芯片的成本 D:提高芯片的可靠性
A:减少了功率 B:与AL工艺兼容 C:更少的工艺步骤 D:其余都是 E:良好的抗电迁徙性能 F:更低的电阻率 G:更高的互连线集成密度
A:沉积 B:刻蚀 C:光刻 D:掺杂 E:淀积 F:清洗 G:氧化
A:铜在氧化硅和硅中的扩散率很高 B:在小于200℃低温的空气中，铜很快被氧化，而且这一层氧化膜不会阻止铜进一步氧化 C:铜的熔点低 D:铜很难被刻蚀
A:场氧隔离法 B:多晶隔离 C:PN结隔离法 D:浅槽隔离法
A:肉眼观察 B:400倍暗场显微镜检查 C:平行光束检查 D:出水电阻率检查 E:MOS结构的高频C-V测试检查
温馨提示支付 ￥5.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
