现代半导体器件及先进制造 1_智慧树知到答案2021年

[单选题]本征硅的费米能级位于：（ ）选项:[
, 略偏向
, 略偏向
,
]

[单选题]硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）选项:[空穴浓度大于电子浓度
, 与磷掺杂硅的导电类型一致
, 电子浓度大于空穴浓度
, 硅的晶体结构将发生改变
]
[多选题]抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。 选项:[倾斜衬底
, 衬底表面沉积非晶薄膜
, 升高衬底温度
, 降低离子注入能量
]
[多选题]制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。 选项:[直拉法
, 区域熔融法
, 外延生长法
, 氧化还原法
]
[判断题]当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ） 选项:[错, 对]