第四章测试1.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的：
A:磷元素 B:硅元素 C:硼元素 D:锂元素
答案:C
2.二极管两端加正向电压时：
A:超过0.3 V才导通 B:一定导通 C:超过0.7 V导通 D:超过死区电压才导通 3.PN结加正向电压时，空间电荷区将：
A:变宽 B:变厚 C:基本不变 D:变窄 4.为保证稳压管具有稳定的稳压值，应该：
A:动态内阻较小，电压温度系数的绝对值较大 B:动态内阻较小，电压温度系数的绝对值较小 C:动态内阻较大，电压温度系数的绝对值较小 D:动态内阻较大，电压温度系数的绝对值较大 5.NPN型三极管，三个电极的单位分别有VC=3.3 V，VE=3 V，VB=3.7 V，则该管工作在：
A:击穿区 B:放大区 C:截止区 D:饱和区 6.晶体管工作在截止区时，各电极电压应使PN结为：
A:集电结反偏，发射结正偏 B:集电结正偏，发射结反偏 C:集电结，发射结均正偏 D:集电结，发射结均反偏 7.本征半导体中的空穴是：
A:带负电的离子 B:带正电的离子 C:电子脱离共价键后留下的空位 D:半导体晶格中的缺陷 8.如果半导体二极管正反向阻值都无穷大，说明二极管：
A:内部断路 B:性能差 C:内部短路 D:正常 9.PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为：
A:反向偏置 B:双向偏置 C:正向偏置 D:零偏置 10.三极管基极电流的变化量为0.02 mA，三极管的电流放大倍数为90，则该三极管发射极电流的变化量为：
A:1.82 mA B:1.78 mA C:2.00 mA D:1.80 mA
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