第一章测试1.在信号分析中，为了简化信号特征参数的提取，通常将信号从时域变换到频域。（ ）
A:对 B:错
答案:A
2.信号从来都不是孤立存在的，它总是由某个系统产生又被另外的系统所处理。（ ）
A:对 B:错
答案:A
3.信号的放大是最基本的模拟信号处理功能，是通过放大电路来实现的。（ ）
A:对 B:错
答案:A
4.对放大电路的动态研究主要是针对电压增益而言的。（ ）
A:错 B:对
答案:A
5.信号通过放大电路后产生失真的类型主要是线性失真。（ ）
A:错 B:对
答案:A
1.本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ）
A:对 B:错
答案:A
2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
A:错 B:对
答案:B
3.N型半导体是在本征半导体中掺入（ ）。
A:四价元素 B:五价元素 C:二钾元素 D:三价元素
答案:B
4.当温度升高时，二极管的导通压降会（ ）。
A:不变 B:随机 C:减小 D:增大
答案:C
5.
我们课程讲到，PN结电容的包括（ ）。
A:势垒电容和扩散电容 B:耦合电容和旁路电容 C:扩散电容和旁路电容 D:势垒电容和耦合电容
答案:A
1.
PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
A:对 B:错
答案:B
2.
因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
A:对 B:错
答案:B
3.
在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
A:对 B:错
答案:A
4.
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
A:对 B:错
答案:B
5.
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将
A:不变 B:减小 C:增大
答案:C
6.
稳压管的稳压区是其工作在
A:反向击穿 B:正向导通 C:反向截止
答案:A
7.
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
A:前者正偏、后者也正偏 B:前者反偏、后者也反偏 C:前者正偏、后者反偏
答案:C
1.两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有（ ）。
A:一种 B:三种 C:两种 D:四种
答案:D
2.用万用表×100Ω档测试一个正常二极管时指针偏转很大，这时可判定黑表笔和红表笔分别接的是二极管什么极？（ ）。
A:N极 B:阳极 C:阴极 D:P极
答案:BC
3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
A:对 B:错
答案:A
4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
A:错 B:对
答案:A
5.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
A:错 B:对
答案:A
1.
P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子 ，少子是空穴 。（ ）
A:对 B:错
答案:B
2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ）。
A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度
答案:A
3.PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 （ ）
A:错 B:对
答案:B
4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 （ ）
A:对 B:错
答案:A
5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。（ ）
A:错 B:对
答案:A
6.如图所示电路中，
设二极管特性理想，则UO为（ ）。A:－9V B:9V C:－12V D:12V
答案:A
7.如图所示，设二极管的导通电压UD＝0.7V，则UO＝（ ）V。
A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V
答案:A
8.PN结正向偏置时，其内电场被（ ）。
A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定
答案:A
9.半导体二极管加正向电压时，有（ ）。
A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小
答案:C
10.
PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。（ ）
A:对 B:错
答案:B
1.当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）。
A:增大 B:等于零 C:减小 D:不变
答案:A
2.半导体二极管的重要特性之一是（ ）。
A:滤波特性 B:放大作用 C:单向导电性 D:温度稳定性
答案:C
3.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是（ ）。
A:只有当uI1=0.3V，uI2=0.3V时输出电压为才为1V。 B:uI1=3V，uI2=0.3V时输出电压为3.7V。 C:uI1=3V，uI2=0.3V时输出电压为1V。 D:uI1=3V，uI2=3V时输出电压为5V。
答案:C
4.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管 （ ）。
A:击穿 B:电流过大使管子烧坏 C:电流为0 D:正常导通
答案:B
5.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（ ）
A:处于饱和区域 B:处于放大区域 C:处于截止区域 D:已损坏
答案:D
1.
已知某信号源内阻1kΩ，源电压10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压8mV，则该放大电路输入电阻为（ ）。
A:2kΩ B:5kΩ C:4kΩ D:1kΩ
答案:C
2.
已知某放大电路的最大不失真输出电压为-10V ~ +10V，若放大电路在通频带内的电压增益40dB，则输入电压的范围是（ ）。
A:-0.25V ~ +0.25V B:-0.1V ~ +0.1V C:-0.5V ~ +0.5V D:-1.0V ~ +1.0V
答案:B
3.
只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。（ ）
A:错 B:对
答案:A
4.
放大电路的增益只能在一定的频率范围内与频率无关。（ ）
A:对 B:错
答案:A
5.放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。（ ）
A:错 B:对
答案:B
6.
同一个放大电路输出接不同的负载时，实际的增益是不同的。（ ）
A:错 B:对
答案:B
7.放大电路的增益值只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益4种形式。（ ）
A:对 B:错
答案:B
8.
放大电路中的符号“⊥”表示“地”，就是大地的“地”。（ ）
A:错 B:对
答案:A
9.
放大电路的模型与实际的放大电路的结构是一样的。（ ）
A:错 B:对
答案:A
10.
信号是信息的载体。（ ）
A:对 B:错
答案:A
1.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ ）
A:对 B:错
答案:B
2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
A:错 B:对
答案:B
3.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）
A:对 B:错
答案:B
4.在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（ ）
A:错 B:对
答案:B
5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A:变窄 B:变宽 C:基本不变 D:都不是
答案:A
6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）。
A:反向截止 B:正向导通 C:反向击穿 D:都不是
答案:C
7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A:前者正偏、后者正偏 B:都不是 C:前者正偏、后者反偏 D:前者反偏、后者反偏
答案:C
8.uGS=0V时，能工作在恒压区的场效应管有（ ）。
A:都不是 B:耗尽型MOS管 C:结型管 D:增强型MOS管
答案:BC
1.
稳压二极管只有工作在( )区才能够起稳定电压的作用。
A:反向击穿区 B:不确定 C:反向截止区 D:正向导通区
答案:A
2.
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为( )。
A:集电极 B:不确定 C:基极 D:发射极
答案:D
3.
二极管两端加上正向电压就一定会导通。
A:错 B:对
答案:A
4.
PNP管放大电路中，UCC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。
A:对 B:错
答案:B
5.
如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管立刻被击穿。
A:错 B:对
答案:A
6.
晶体管工作在截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏。
A:错 B:对
答案:B
7.
二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。
A:对 B:错
答案:B
8.
PN结具有电流放大作用。
A:对 B:错
答案:B
9.
截止状态的三极管，发射结、集电结均加反向偏置电压。
A:对 B:错
答案:A
10.
在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
A:对 B:错
答案:B
1.为形成P型半导体，可在本征半导体中掺入几价元素？（ ）
A:二 B:三 C:四 D:五
答案:B
2.在N型半导体中，自由电子浓度比空穴浓度（ ）
A:不确定 B:相等 C:低 D:高
答案:D
3.PN结加反偏电压时，空间电荷区将（ ）。
A:变宽 B:无法确定 C:变窄 D:基本不变
答案:A
4.晶体管的发射极和集电极使用时可以互换。（ ）
A:错 B:对
答案:A
5.晶体管的β值大小，与基区的掺杂浓度有关。（ ）
A:错 B:对
答案:B
1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A:掺杂工艺
B:晶体缺陷
C:温度
D:杂质浓度
答案:D
2.在N型半导体中，多数载流子是（ ）。
A:电子
B:负离子
C:正离子
D:空穴
答案:A
3.二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ ）。
A:右移
B:上移
C:下移
D:左移
答案:C
4.双极型晶体管本质上是一个（ ）。
A:电压控制的电流源
B:电流控制的电流源
C:电压控制的电压源
D:电流控制的电压源
答案:B
5.晶体管的导电机理为两种载流子（电子和空穴）参与导电，（ ）
A:对 B:错
答案:A
