模拟电子技术答案2023秋

第四章测试

1.场效应管可分为绝缘栅型场效应管和结型场效应管两种类型。（ ）
A:错 B:对
答案:B
2.场效应管的输出伏安特性曲线主要包括哪几个区域（ ）。
A:击穿区
B:可变电阻区
C:饱和区
D:截止区
3.增强型场效应管在没有栅源电压的情况下就存在导电沟道。（ ）
A:错 B:对 4.场效应管可以看成是（ ）。
A:电压控制的电流源
B:电压控制的电压源
C:电流控制的电流源
D:电流控制的电压源
5.基本的场效应管放大电路包括（ ）。
A:共源极放大电路
B:共射极放大电路
C:共栅极放大电路
D:共漏极放大电路
1.功率放大电路的转换效率是指（ ）。
A:晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 B:输出功率与晶体管所消耗的功率之比 C:输出功率与电源提供的平均功率之比 2.乙类功率放大电路的输出电压信号波形存在（ ）。
A:截止失真 B:交越失真 C:饱和失真 3.乙类双电源互补对称功率放大电路中，假设最大输出功率为2W，那么电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。
A:0.2W B:0.1W C:0.4W 4.乙类双电源互补对称功率放大电路的转换效率理论上最高可到达（ ）。
A:25% B:78.5% C:50% 5.乙类互补功放电路中的交越失真，实质上就是（ ）。
A:线性失真 B:饱和失真 C:截止失真 1.

 

若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ）

A:对 B:错 2.

 

负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ）

A:错 B:对 3.

 

若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ）

A:对 B:错 4.

 

对于放大电路，所谓开环是指        。

A:无负载 B:无反馈通路 C:无电源 D:无信号源 5.

 

对于放大电路，所谓闭环是指        。 

A:存在反馈通路 B:接入负载 C:接入电源 D:考虑信号源内阻 6.

 

为了稳定静态工作点，应引入        。

A:交流负反馈 B:直流负反馈 7.

 

为了稳定放大倍数，应引入        。

A:直流负反馈 B:交流负反馈 8.

 

欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入       。

A:电压串联负反馈 B:电压并联负反馈 C:电流并联负反馈 D:电流串联负反馈 9.

 

欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入        。

A:电流并联负反馈 B:电流串联负反馈 C:电压串联负反馈 D:电压并联负反馈 10.

 

欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入        。

A:电流串联负反馈 B:电流并联负反馈 C:电压并联负反馈 D:电压串联负反馈 11.

 

欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入        

A:电流串联负反馈 B:电压串联负反馈 C:电压并联负反馈 D:电流并联负反馈 1.多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合 ，光电耦合 。（ ）
A:错 B:对 2.在多级放大电路里，可以把后级的输入电阻作为是前级的负载 ，可以把前级输出电阻是后级的信号源电阻。（ ）
A:错 B:对 3.多级放大电路的输入电阻就是第一级的输入电阻，输出电阻就是最后一级的输出电阻。（ ）
A:错 B:对 4.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（ ）
A:对 B:错 5.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。（ ）
A:对 B:错 6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
A:电源电压不稳定 B:晶体管参数的分散性 C:晶体管参数受温度影响 D:电阻阻值有误差 7.集成电路中多采用（ ）耦合方式。
A:变压器耦合电路 B:阻容耦合电路 C:光电耦合 D:直接耦合电路 8.两级放大电路第一级电压放大倍数时为50，第二级电压放大倍数为80，则总的电压放大倍数为（ ）。
A:130 B:40000 C:4000 D:400 9.把前一级输出端（或经过电阻等）直接接到下一级输入端，这种连接方式称为（ ）耦合。
A:直接耦合电路 B:光电耦合 C:变压器耦合电路 D:阻容耦合电路 10.直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A:小 B:大 C:跟放大倍数无关 D:不确定 1.各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。（ ）
A:错 B:对 2.在变压器副边电压和负载电阻相等的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（ ）
A:对 B:错 3.直流稳压电源中滤波电路的作用是滤除或抑制交流分量。（ ）
A:错 B:对 1.与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功率放大方式的主要优点是（ ）。
A:不用输出变压器 B:无交越失真 C:不用输出端大电容 D:效率高 2.在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是 （ ）。
A:乙类 B:甲乙类 C:甲类 3.在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，失真最小的是 （ ）。
A:乙类 B:甲乙类 C:甲类 4.与甲类功率放大器相比，乙类互补推挽放大器的主要优点是 （ ）。
A:能量转换效率高 B:无输出变压器 C:无交越失真 5.所谓能量转换效率就是指（ ）。
A:最大不失真输出功率与电源提供的功率之比 B:输出功率与电源提供的功率之比 C:输出功率与晶体管上消耗的功率之比 9.乙类互补推挽功率放大电路中，若电源电压为V_CC，放大管的饱和压降为U_CES，那么放大管的最大管压降为
2V_CC-U_CES 。（ ）
A:错 B:对 1.由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的上限截止频率（ ）。
A:不变 B:变低 C:变高 D:都不是 2.上限截止频率为15kHz，下限截止频率为20Hz，的两个相同的单级放大电路组成一个两级放大电路，这个两级放大电路的上限截止频率约为（ ）。
A:15kHz B:都不是 C:10kHz D:20kHz 3.在阻容耦合放大电路中，耦合电容的大小线路和分布电容的大小都将影响下限截止频率的高低。（ ）
A:错 B:对 4.已知两个单管放大电路A和B的上、下限截止频率分别为fHA=1MHz，fLA=10Hz，fHB=10MHz，fLB=100Hz。把A和B连接成一个两级放大电路，则这两个级放大电路的上、下限截止频率分别为fH≈（ ）
A:5MHz B:1MHz C:0.5MHz D:10MHz 5.

放大电路如图所示，判断以下说法的正误。当R_L减小时，中频增益下降。由于电路的增益带宽积近似为常数，所以上限截止频率会提高。（ ）

A:对 B:错 1.

用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的(      )。

A:差模输入电阻增大 B:抑制共模信号能力增强 C:共模放大倍数数值增大 D:

差模放大倍数数值增大

E:差模输入电阻减小 2.

差动放大电路抑制漂移的效果取决于(      )。

A:两个晶体管的放大倍数
B:各个晶体管的零点漂移
C:两个晶体管的静态工作点
D:两个晶体管的对称程度
3.

差动放大电路放大的是(      )。

A:交流信号
B:两个输入信号之差
C:直流信号
D:两个输入信号之和
4.

集成运算放大器内部各级放大电路之间一般使用(      )耦合方式。

A:直接 B:阻容
C:光电 D:变压器 5.

镜像电流源中的两个三极管一般工作在(      )状态。

A:放大 B:倒置 C:截止 D:饱和 6.

运放工作在线性工作区的分析依据是虚短和虚断。

A:错 B:对 7.

运放想要工作在线性区，必须引入(      )。

A:正反馈 B:无反馈 C:负反馈 D:反馈 8.

差动放大电路采用了对称的电路结构，这样做是因为可以提高放大倍数。

A:对 B:错 9.

由于集成工艺的限制，集成运放内部各级放大电路之间一般都采用直接耦合方式。

A:对 B:错 10.

集成运算放大器工作在非线性区时虚短的概念应然成立。

A:错 B:对 1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（ ） 。
A:输入电压频率不变，改变幅值 B:输入电压幅值不变，改变频率 C:A和B选项都可以 D:输入电压的幅值与频率同时变化 2.放大电路在高频作用时放大倍数数值下降的原因是（ ） 。
A:放大电路的静态工作点不合适 B:耦合电容和旁路电容的存在 C:半导体管极间电容和分布电容的存在 D:半导体管的非线性 3.当信号频率等于放大电路的f _L 、f _H时，增益相比中频时约下降（ ） 。
A:5dB B:2dB C:4dB D:3dB 4.对于单管共射放大电路，当 f = f _L 时， 与 相位关系是（ ） 。
A:- 225° B:- 135° C:+ 45° D:- 45° 5.对于N级放大电路，若各级的下、上限频率分别为f _L1 、到f _LN ，f _H1 到f _HN ，整个电路的下、上限频率分别为f _L 、f _{H ，}则f _L大于其中任意一级放大电路的上限频率，f _H 小于任意一级的上限频率。（ ）
A:错 B:对 1.

场效应管用于放大时，应工作在（ ）。 

A:可变电阻区 B:截至区 C:击穿区 D:饱和区 2.

场效应管的控制方式为（ ）。

A:输入电压控制输出电流 B:输入电流控制输出电流 C:输入电流控制输出电压 D:输入电压控制输出电压 3.场效应管属于（ ）控制型器件。
A:电流 B:电容 C:电感  D:电压 4.场效应管相比于三极管，以下说法错误的是（ ）。
A:场效应管的D、S间可等效为一电流控制电压源，三极管的C、E之间可等效为一电流控制电流源 B:场效应管温度稳定性好，三极管热稳定性差 C:场效应管输入电阻高，三极管相对较低 D:场效应管属于单极型器件，三极管是双极型 5.P沟道增强型FET的开启电压为（ ）。
A:0 B:无 C:正值 D:负值 6.场效应管是用（ ）控制漏极电流的。
A:栅源电压 B:栅源电流 C:漏源电流 D:漏源电压 7.结型场效应管发生预夹断后，管子进入（ ）。
A:可变电阻区 B:恒流区 C:截止区 D:饱和区 8.增强型PMOS管的开启电压（ ）。
A:大于零或小于零 B:大于零 C:小于零 D:等于零 9.N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。
A:电子 B:电子和空穴 C:空穴 D:离子 10.

图1（a）、（b）分别代表（ ）绝缘栅场效应管。

(a)

(b)

A:N沟道耗尽型与P沟道增强型                                      B:N沟道增强型与N沟道耗尽型 C:P沟道耗尽型与N沟道增强型   D:P沟道增强型与N沟道耗尽型 1.产生零点漂移的主要原因是（ ）。
A:环境温度的变化
B:信号不稳定
C:电压增益过大
D:电流增益过小
2.集成运放的输入级广泛采用了差分放大电路，它的一大优点是（ ）。
A:有效地抑制共模信号，同时有效地放大差模信号
B:既有效地抑制差模信号，同时又有效地抑制共模信号
C:既有效地放大差模信号，同时又有效地放大共模信号
D:有效地抑制差模信号，同时有效地放大共模信号
3.差动放大电路利用参数对称的对管进行设置是为了（ ）。
A:稳定放大倍数
B:减小输出电阻
C:克服温漂
D:提高输入电阻
4.共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）。
A:交流放大倍数越大
B:放大倍数越稳定
C:输入信号中的差模成份越大
D:抑制温漂能力越强
5.无论在什么情况下，分析集成运放组成的电路时，都可以用虚短和虚断的概念。（ ）
A:错 B:对