第三章测试1.
在图示单管共射放大电路中，若上偏置电阻RB1因损坏而断开，则三极管处于( )。
A:状态不定 B:放大状态 C:截止状态 D:饱和状态
答案:C
2.
共集电极放大电路又叫做射极偏置电路。
A:对 B:错 3.
共集电极放大电路和共射极放大电路的放大倍数近似相等。
A:对 B:错 4.
在小信号输入的前提下，三极管输入BE之间可以等效为一个( )。
A:电压源 B:电流源 C:电阻 D:电容 5.
在画三极管放大电路的直流通路时，电容应该等效成( )。
A:电流源 B:短路 C:电压源 D:开路 6.
在画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源Vcc应等效成接地。
A:对 B:错 7.
共射极放大电路中，若输入信号过大，可能出现( )失真。
A:截止 B:交越 C:线性 D:饱和 8.
固定偏置的共射极放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，可能是因为( )。
A:RB很小 B:RB短路 C:RC短路 D:RB开路 9.
共射极放大电路中，基极电流增大，则集电极电流一定随之增大。
A:对 B:错 10.
固定偏置的共射极放大电路中，若集电极电阻RC短路，则该电路不再具有正常的电压放大能力。
A:对 B:错 1.关于多级放大电路，下列说法中错误的是（ ）
A:Ro等于输出级的输出电阻 B:Au等于各级电压放大倍数之积 C:Ri等于输入级的输入电阻 D:Au等于各级电压放大倍数之和 2.集成运放电路的实质是一个（ ）的多级放大电路。
A:变压器耦合 B:阻容耦合 C:光电耦合 D:直接耦合 3.差分放大电路中，当ui1=300mV，ui2=200mV时，分解为共模输入信号为（ ）
A:250mV B:100mV C:50mV D:500mV 4.在集成运放中，抑制零点漂移的作用主要来自于（ ）。
A:偏置电路 B:输出级 C:输入级 D:中间级 5.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）
A:可放大低频信号 B:可使温漂变小 C:增大输入电阻 D:可获得较高增益 1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
A:晶体管参数受温度影响 B:放大倍数不够稳定 C:元件老化 D:电源电压不稳定 2.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A:放大交流信号 B:便于设计 C:不易制作大容量电容 D:都不是 3.差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（A），共模信号时两个输入信号的（ ）。
A:都不是 B:差 C:和 D:平均值 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻，将使电路的（ ）。
A:都不是 B:抑制共模信号能力增强 C:差模放大倍数数值增加 D:差模输入电阻增大 5.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）。
A:减小温漂 B:提高输入阻抗 C:都不是 D:增大放大倍数 6.
为增大放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）。
A:都不是 B:共集放大电路 C:共射放大电路 D:共基放大电路 7.集成运放的末级采用互补输出级是为了（ ）。
A:带负载能力强 B:电压放大倍数放大 C:不失真输出电压大 D:都不是 1.半导体二极管的重要特性之一是（ ）。
A:滤波特性
B:放大作用
C:单向导电性
D:温度稳定性
2.当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）。
A:等于零
B:增大
C:减小
D:不变
3.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A:基本不变
B:不变
C:变窄
D:变宽
4.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ）
A:对 B:错 5.
设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）
A:D1截止，D2截止 B:D1导通，D2截止 C:D1截止，D2导通 D:D1导通，D2导通 1.
现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
A:错 B:对 2.
阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
A:错 B:对 3.
运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
A:错 B:对 4.
集成运放电路采用直接耦合方式是因为
A:可使温漂小 B:可获得很大的放大倍数 C:集成工艺难于制造大容量电容 5.
集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以
A:增大放大倍数 B:提高输入电阻 C:减小温漂 6.
为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用
A:共基放大电路 B:共射放大电路 C:共集放大电路 7.
差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的A，共模信号是两个输入端信号的
A:平均值 B:差 C:和 8.
用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的
A:差模放大倍数数值增大 B:差模输入电阻增大 C:抑制共模信号能力增强 9.
互补输出级采用共集形式是为了使
A:电压放大倍数大 B:不失真输出电压大 C:带负载能力强 1.差分放大电路的主要性能指标仅与 （ ）。
A:两者均有关 B:输出方式有关 C:两者均无关 D:输入方式有关 2.共模抑制比 KCMR越大，表明电路 （ ）。
A:输入信号中差模成分越大 B:放大倍数越稳定 C:抑制温漂能力越强 D:交流放大倍数越大 3.集成运放内部是直接耦合放大电路，因此能放大 （ ）。
A:直流信号 B:交直流信号 C:两者均否 D:流信号 4.为了减小温漂，减小输出电阻，大多输入级和输出级分别采用（ ）。
A:互补对称和电流源 B:差分和电流源 C:共集或共漏 D:差分和互补对称 5.差分放大电路双端输出时的差模电压增益与半边差模等效电路的电压增益应是（ ）
A:相等 B:1倍 C:一半 D:2倍 1.场效应管工作时参与导电的是（ ）。
A:多子
B:负离子
C:正离子
D:少子
2.场效应管本质上是一个（ ）。
A:电压控制的电压源
B:电流控制的电流源
C:电流控制的电压源
D:电压控制的电流源
3.下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
A:场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器
B:场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点
C:场效应管工作时多子、少子均参与导电
D:场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET
4.场效应管是一种载流子（即多子）参与导电。（ ）
A:对 B:错 5.通常MOS场效应管的输入电阻比结型场效应管的输入电阻要小。（ ）
A:错 B:对 1.
PN结正向偏置时，空间电荷区将（ ）。
A:变宽 B:变窄 C:基本不变 2.
当温度上升时，二极管反向饱和电流将（ ）。
A:不变 B:增加 C:减小 D:无法确定 3.
二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。
A:截止 B:死区 C:击穿 D:饱和 4.
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ）。
A:正、反向电阻都等于无穷大 B:正向电阻大，反向电阻小 C:正、反向电阻相等 D:正向电阻小，反向电阻大 5.
PN结加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。
A:等于 B:大于 C:小于 D:不确定 6.
锗二极管的死区电压为（ ）。
A:0.5V B:0.2V C:0.4V D:0.7V 7.PN结加正向电压时，其正向电流是由（ ）的。
A:多数载流子漂移而成 B:多数载流子扩散而成 C:少数载流子漂移而成 D:少数载流子扩散而成 8.
P型半导体是在本征半导体中加入（ ）物质后形成的。
A:空穴 B:三价硼元素 C:电子 D:五价磷元素 9.
稳压管一般工作于（ ）状态。
A:反向击穿 B:正向导通 C:反向截止 10.
在二极管的参数中，最大整流电流IF指的是（ ）。
A:允许的最大正向电流 B:允许的最大正向平均电流 C:允许的最大反向电流 D:允许的最大反向平均电流 1.场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好。（ ）
A:错 B:对 2.场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。（ ）
A:错 B:对 3.场效应管是电流控制电流型器件，只依靠多数载流子导电。（ ）
A:错 B:对 4.根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。（ ）
A:对 B:错 5.能采用分压式偏置电路的是（ ）场效应管。
A:结型、增强型和耗尽型 B:增强型 C:结型 D:耗尽型 6.
图（ ）表示N沟道增强型MOS管。A:(c) B:(a) C:(d) D:(b) 7.某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A:增强型PMOS管 B:增强型NMOS管 C:耗尽型PMOS管 D:耗尽型NMOS管 8.一场效应管的输出特性曲线如图所示，则该管是（ ）。
A:增强型PMOS管 B:耗尽型PMOS管 C:耗尽型NMOS管 D:增强型NMOS管 9.某场效应管的的转移特性曲线如图所示，则该管是（ ）。
A:耗尽型PMOS管 B:增强型PMOS管 C:耗尽型NMOS管 D:增强型NMOS管 10.结型场效应管发生预夹断后，管子（ ）。
A:关断 B:可变电阻区 C:进入饱和区 D:进入恒流区 1.互补输出级应采用共集或共漏接法。（ ）
A:错 B:对 2.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。（ ）
A:错 B:对 3.既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ ）
A:错 B:对 4.要得到电流—电压转换电路，应在放大电路中使用（ ）。
A:电流并联负反馈 B:电流串联负反馈 C:电压并联负反馈 D:电压串联负反馈 5.什么比例运算电路两个输入端的电位等于输入电压？（ ）
A:共模 B:差模 C:反相 D:同相 6.什么比例运算电路中存在虚地？（ ）
A:同相 B:差模 C:共模 D:反相 1.通频带可用BW表示，上、下限频率fH，fL , 正确的是（ ）。
A:BW=fL+fH B:BW=fH C:BW=fH-fL D:BW=fL 2.已知放大电路的上、下限频率fH，fL分别为100KHZ，10KHZ，则通频带是（ ）。
A:100KHZ B:110KHZ C:100KHZ D:90KHZ 3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，则放大倍数值约下降到中频时（ ）。
A:0.9倍 B:0.8倍 C:0.707倍 D:0.5倍 4.多级放大器级联后，总的电压增益（ ）。
A:不变 B:下降 C:提高 5.多级放大器级联后，总的通频带（ ）。
A:变窄 B:不变 C:变宽 9.在低频段，放大倍数下降的主要原因是隔直电容的容抗增大，在高频段，放大倍数下降的主要原因是三极管存在结电容。（ ）
A:对 B:错
