电子技术基础Ⅰ（模拟部分）答案2023

第二章测试

1.晶体三极管形成原理描述不正确的是（ ）。
A:到达基区的空穴很容易穿过发射结
B:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
C:到达基区的电子很容易穿过集电结
D:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低

答案:B
2.对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（ ）。
A:放大电路的输出信号电流一般是几毫安
B:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
C:放大电路的输出功率一般是瓦特级
D:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
3.对共基极放大电路特性描述不正确的是（ ）。
A:输出电阻大，带负载能力较差
B:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高
C:放大电路的输出信号与输入信号同相
D:由于无结电容影响，常用于放大高频信号
4.对多级放大电路性能描述不正确的是（ ）。
A:多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻
B:多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻
C:多级放大电路的频带带宽比任何一级放大电路的频带带宽都窄
D:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积
5.已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5 kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。则静态工作点 分别为：（ ）。
A:15μA，1.5mA, 6V
B:20μA，2mA,6V
C:30μA，3mA, 6V
D:10μA，1mA,10.5V