第三章测试1.测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。
A:可变电阻区
B:饱和区
C:预夹断临界点
D:截止区
答案:B
2.对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（ ）。
A:栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生
B:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少
C:栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生
D:栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道
3.在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（ ）。
A:P型衬底接低电位，N型衬底接高电位
B:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化
C:GaAs MESFET正越来越多地应用于高频放大和数字逻辑电路中
D:焊接FET时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场
4.如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（ ）。
A:1mA
B:3mA
C:2mA
D:4mA
5.采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为 ，则10 处的增益与 处的相差：（ ）。
A:80dB
B:40dB
C:60dB
D:20dB
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