第一章测试1.对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。
A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
B:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
C:雪崩击穿属于电击穿
D:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
答案:A
2.2AP9表示的是（ ）。
A:18世纪30年代到18世纪末
B:18世纪60年代到18世纪末
C:18世纪60年代到19世纪上半期
D:18世纪70年代到19世纪中期
答案:A
3.对二极管模型的描述不正确的是（ ）。
A:二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
B:二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
C:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
D:二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
答案:C
4.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
A:-12V
B:-8V
C:-10V
D:0V
答案:D
5.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
A:600Ω，1W
B:600Ω，1/8W
C:500Ω，1W
D:500Ω，1/8W
答案:B
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