山东科技大学
第一章单元测试
对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是： ( )。
关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。
当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷、N区呈正电荷,该区的名称为：（ ） 。
PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
当PN结外加正向电压时,扩散电流 ( ) 漂移电流。
当PN结外加正向电压时,耗尽层( )。
当PN结加正向电压(正向偏置)时,
当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。
当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。
常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。
PN结反向电流Is的合理数值为:( )。
当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).
当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR), 则PN结( ).
温度电压当量UT与温度、PN结面积都有关。
PN结反向电流Is与温度有关。
PN结电流方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
PN结正向偏置时的结电容( )反向偏置时的结电容:
势垒电容、扩散电容与外加电压有关。
Multisim提供的虚拟仪器包括：
A:Up<UN B:Up≥UN C:Up≤UN D:Up>UN
答案:Up<UN
A:由N区指向P区 B:与外电场相反 C:由P区指向N区
答案:由N区指向P区
A:PN结 B:势垒 C:耗尽层 D:空间电荷区
答案:PN结###势垒###耗尽层###空间电荷区
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:大于 B:小于 C:等于
答案:大于
A:变宽 B:不变 C:变窄
答案:变窄
A:耗尽层变宽 B:内电场减小 C:内电场增强 D:耗尽层变窄
答案:内电场减小###耗尽层变窄
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:26mV B:260V
C:26V D:2.6uV
答案:26mV
A:uA B:mA C:1A D:100mA
答案:uA
A:越来越快地上升 B:对数式上升 C:指数式上升 D:比例式上升
答案:越来越快地上升
A:反向电流很大 B:会被烧毁 C:反向电流很小 D:产生电击穿
答案:反向电流很大###产生电击穿
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:大于 B:等于 C:小于
答案:大于
A:错 B:对
答案:对
A:信号源 B:示波器 C:时频分析仪 D:万用表
答案:信号源###示波器###万用表
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