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电力电子技术（湖北师范大学）
- 在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz 。
- 三相电压型无源逆变器桥臂上下两个开关器件换相时应遵循“先断后开”的原则。
- 晶闸管相控调压电路在电流连续时输出功率达到最大，调压作用是通过电流的断续来实现。
- 换相过电压和关断过电压属于内因过电压，主要来自器件的开关过程 。
- 电流型逆变电路直流侧并联大电感，相当于电流源。
- 供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障引起逆变失败。
- 交流调压是调负载电压的平均值、相控整流是调负载电压的有效值。
- 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通 。
- 双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体材料构成的。
- 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通 。
- 最小逆变角一般限制在β＜35°。
- 在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
- 普通晶闸管组全控整流电路带电性负载没续流二极管导通晶闸管电源电压零关断。
- IGBT是双极结型晶体管的简称。
- 三相半波可控整流电路，不需要用大于60º小于120º的宽脉冲触发，也不需要相隔60º的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120º的三组脉冲触发就能正常工作。
- 双向晶闸管额定电流定义与普通晶闸管双向晶闸管额定电流用电
流效值表示。 - 过电压保护中的内因过电压主要包括关断过电压和换相过电压 。
- 三相桥式半控整流电路带电性负载续流二极管电路故障发失控现象。
- 三相桥式全控整流电路采用双窄脉冲触发晶闸管元件电源相序要满足触发电路相序要求才能工作 。
- 变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质无直接关系 。
- 相控电路在大功率应用中，应注意COSφ低、谐波分量大的缺点。
- 双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。
- 有源逆变电路可实现能量回收，适用于各种负载时的应用。
- 逆变角太小会造成逆变失败 。
- 逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失或脉冲延时，电源缺相或突然消失，或是逆变角太小造成的 。
- 单相全波可控整流电路中变压器为二次绕组带中心抽头，结构较复杂。
- KP2-5表示额定电压200V额定电流500A普通型晶闸管。
- 通过变压器变比和占空比的适当组合，正激电路和反激电路均可以实现输出电压升降压控制。
- 绝缘栅双极晶体管是目前所有电力电子器件中开关速度最快的器件。
- 单相交流调压电路在电阻性负载电路中的移相范围是0°～180°。
α称为触发延迟角，θ称为导通角，α和θ的关系为（ ）。
可控整流电路，阻感性负载时，在负载两端并联续流二极管的作用是（ ）。
Sepic斩波电路的特点是（ ）。
- 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ）。
- 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ ）。
- 关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（ ）。
- 当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（ ）。
- 在SPWM逆变器中，假设正弦调制波频率为50Hz，三角载波频率为5000Hz，则载波比为（ ）。
- 在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（ ）。
- 下列各种电力电子器件中开关速度最快的是（ ）。
- 可控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的（ ）。
- 单相桥式可控整流电路，大电感性负载，控制角α=90°，其输出电压平均值为（ ）。
- 一单相交流调压器，输入交流电压为220V，50Hz，阻感性负载，其中电阻R=10Ω，电抗XL=10Ω, 则交流调压器的移相范围为（ ）。
- 电力电子技术广泛应用于电气工程中，是一门综合性交叉性的学科，以下跟电力电子技术不相关的内容是（ ）。
- 双向晶闸管的额定电流的定义是用（ ）。
- 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式是（ ）。
- 交-交变频电路和交直交变频电路说法错误的是（ ）。
单相桥式全控整流电路，阻感性负载，控制角α的最大移相范围是（ ）。
- 具有自关断能力的电力半导体器件称为（ ）。
- 升压直流斩波电路中，已知输入直流电源电压Ud=24V，负载平均电压Uo=36V，则电路导通比Kt=（ ）。
- 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间下列哪项，且在门极加正向触发电流时，才能使其开通？
- 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在
- 晶闸管单相交流调压电路，负载电阻为R=0.628Ω，电感为L=2mH，控制角α的有效调节范围为（ ）。
- 输入电压和负载电流对电路的谐振过程影响最小的软开关电路是（ ）。
- 三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（ ）。
- 电流型三相桥式逆变电路中六个晶闸管 到 每隔( )度依次导通。
- 一般认为交交变频输出的上限频率（ ）。
- 对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有（ ）。
- 三相桥式全控整流电路中，理想状态下各晶闸管导通时间为（ ）。
- 取断态重复峰值电压和哪项中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为晶闸管的额定电压？
如图所示为一直流-直流变流电路，说法不正确的是（ ）。
有关电力MOSFFET的基本特性说法正确的是（ ）。
交-交变频电路中，（ ）是限制输出频率的主要因素。
下列哪些是电压控制型器件（ ）。
三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式不正确的是（ ）。
A:对 B:错
答案:(错)
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
AI参考:答案：B：错。双向晶闸管的结构与普通晶闸管不同，它只有两层半导体材料，没有正负极之分。因此，这个题目的描述是错误的。'
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
AI参考:答案：A。IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称，它是一种复合器件，不属于双极结型晶体管。因此，题目所述错误。'
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
AI参考:答案：B。根据题目描述，三相桥式半控整流电路带电性负载时，续流二极管电路故障会导致失控现象。因此，答案为B，即正确。'
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
AI参考:B 相控电路在大功率应用中确实需要注意COSφ低、谐波分量大的缺点。相控电路通过改变电流和电压之间的相位差来实现功率的调节，但这种工作方式会导致输出波形失真，产生较多的谐波分量，同时可能导致功率因数下降。因此，在选择和使用相控电路时，需要考虑到这些缺点并采取相应的措施来避免或减小其影响。'
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:θ-α=π/2 B: θ+α=π C:θ+α=π/2 D:θ-α=π
A:保护可控硅不被击穿 B:使Ud不再出现负的部分 C:减小可控硅承受的最大反向电压 D:使α的移相范围加大
A:电源电流和负载电流都断续 B:电源电流连续但负载电流断续 C:电源电流断续但负载电流连续 D:电源电流和负载电流都连续
A:90º B:150º C:120º D:180º
A:增加输出电压的稳定性 B:抑制温漂 C:增加晶闸管的导电能力 D:防止失控现象的产生
A:在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平 B:在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平 C:在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平 D:在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平
A:零电流开通 B:零电压关断 C:零电流关断 D:零电压开通
A:200 B:50 C:100 D:5000
A:0º B:10º-15º C:0º-10º D:30º-35º
A:电力MOSFET B:GTR C:GTO D:IGBT
AI参考:正确答案是D：IGBT。电力电子器件按开关速度的快慢排序为：GTO>电力MOSFET>GTR>IGBT。其中，IGBT的开关速度最快，所以答案为D。'
A:脉宽 B:幅值 C:移相 D:形状
A:Ud=0.9U2 B:Ud=0.45U2 C:Ud=0 D:Ud=1.17U2
A:60°~180° B:0°~180° C:45°~180° D:30°~180°
A:控制理论 B:电子学 C:潮流计算 D:新能源发电
A:平均值 B:有效值 C:瞬时值 D:最大值
AI参考:正确答案是B：有效值。双向晶闸管的额定电流的定义是用有效值。有效值在电力工程中可以反映其大小，且便于计算功率、热量等。'
A:Ud =-2.34U2cosβ B:Ud = -2.34U2cosβ C:Ud =-1.17U2coβ D:Ud =-1.17U2cosβ
A:都能方便实现电动机的四象限运行 B:交-交变频电路的效率高于交直交变频电路，低频输出波形接近正弦波 C:交-交变频电路只能降频，而交直交变频电路不受电源频率的制约 D:采用PWM控制技术后，它们的输入功率因数都较高
A:0～150° B:0～120° C:0～90° D:0～180°
A:全控型器件 B:半控型器件 C:不控型器件 D:触发型器件
A:1/2 B:1/4 C:1/3 D:2/3
A:并联一电容 B:加正向电压 C:加反向电压 D:并联一电感
A:不定 B:关断状态 C:导通状态 D:饱和状态
A:0～60º B:60º～180º C:0～45º D:45º～180º
AI参考:正确答案是D：45º～180º。根据晶闸管单相交流调压电路的原理，控制角α的有效调节范围为45º～180º。晶闸管单相交流调压电路适用于电阻性负载，题目中给出的负载电阻为R=0.628Ω，电感为L=2mH，因此控制角α的有效调节范围为45º～180º。'
A:零电压电路 B:准谐振电路 C:零开关PWM电路 D:零转换PWM电路
AI参考:正确答案是D：零转换PWM电路。零转换PWM电路是输入电压和负载电流对电路的谐振过程影响最小的软开关电路。在这种电路中，开关功率器件在一个切换周期的中间位置导通和截止，电流和电压都在切换过程中最小，从而减少了开关损耗，提高了系统效率。'
A:0°-90° B:0°-120° C:0°-150° D:60°-150°
A:30 B:120 C:90 D:60
AI参考:正确答案是B：120度。电流型三相桥式逆变电路中，每个晶闸管导通120度，其中三个依次轮流导通，故每隔120度依次导通。'
A:与电网有相同的频率 B:可达电网频率的80% C:高于电网频率 D:约为电网频率的1/2~1/3
A:两者大小不一定 B:IL小于IH C:IL大于IH D:IL等于IH
A:180° B:60° C:120° D:90°
A:反向不重复峰值电压 B:反向击穿电压 C:转折电压 D:反向重复峰值电压
A:该电路为基本降压斩波电路 B:该电路不能作为直流变压器 C:电容C可以维持输出电压不变 D:该电路为基本升压斩波电路
AI参考:根据题干提供的信息，以下是对四个选项的分析和解释：A选项：“该电路为基本降压斩波电路”。正确，这是对题干描述的理解，因为根据题目描述的电路结构，这是一个基本的降压斩波电路。B选项：“该电路不能作为直流变压器”。这个说法不正确，因为降压斩波电路可以作为直流变压器使用，将直流电压转换成不同的输出电压。C选项：“电容C可以维持输出电压不变”。这个说法正确，电容C在这里的作用是储能元件，它可以保持输出电压稳定，避免输出电压波动。D选项：“该电路为基本升压斩波电路”。这个说法不正确，根据题目描述的电路结构，它更像是一个基本的降压斩波电路，而不是升压斩波电路。因此，根据以上分析，正确答案是B选项：“该电路不能作为直流变压器”。'
A:漏极电流和栅源电压的关系为其转移特性 B:输出特性有截止、饱和和非饱和区 C:不存在电导调制效应 D:开关速度对输入电容的充放电很敏感
AI参考:有关电力MOSFFT的基本特性说法正确的是（ B）输出特性有截止、饱和和非饱和区。解释：A选项错误，因为MOSFFT的漏极电流和栅源电压的关系通常被称为转移特性，但这不是基本特性。C选项错误，因为MOSFFT存在电导调制效应，这是其基本特性之一。D选项部分正确，因为随着开关速度的提高，输入电容的充放电时间会减少，这可能会对开关速度产生影响。然而，输出特性的截止、饱和和非饱和区与开关速度之间的关系更为复杂，不能简单地得出开关速度对输入电容充放电敏感的结论。因此，答案为B选项。'
A:电动机转矩脉动 B:相位控制方式 C:电压波形畸变 D:电路接线方式
AI参考:正确选项为：D:电路接线方式交-交变频电路中，电路接线方式是限制输出频率的主要因素。因为不同的接线方式会对电流和电压的波形产生不同的影响，从而影响输出频率。其他选项如电动机转矩脉动、相位控制方式、电压波形畸变等虽然也与频率有关，但不是主要限制因素。'
A:GTO B:IGBT C:GTR D:M OSFET
AI参考:正确选项是B: IGBT ，GTO 和 C: GTR 是电流控制型器件，而 D: MOSFET 是电压控制型器件。所以 B 选项是正确答案。B选项中的 IGBT 是一种复合器件，兼具电压控制和电流控制两种特性，其驱动和控制电路相对简单，应用广泛。其他选项中，GTO 是大功率可控硅器件，GTR 是达林顿管等复合器件，两者都是电流控制型器件。而 D 选项中的 MOSFET 是电压控制型器件，具有输入阻抗高、开关速度快、安全工作区域宽等特点。'
A:Ud =-1.17U2cosβ B:Ud = -2.34U2cosβ C:Ud =-2.34U2cosa D:Ud =-1.17U2cosa
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