第二章单元测试
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。
如果一个电路的最高电压是
，最低电压是
，那么NMOS器件的衬底应该接。一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
下列关于体效应的说法，正确的是（）
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
下列关于MOS模型的说法正确的有（）
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:
栅极的接触孔应该开在沟道区外
B:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
C:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
D:源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
答案:
版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
A:
若
，则 NMOS器件关断
在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C:当
时，NMOS器件导通
NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
答案:
若，则 NMOS器件关断
A:
当
，并且
NMOS器件工作在线性区
当
时，NMOS器件工作在截止区
当
时，且
时，NMOS器件工作在深线性区
当
，
时，NMOS器件工作在饱和区
答案:
当，并且NMOS器件工作在线性区
当时，NMOS器件工作在截止区
当，时，NMOS器件工作在饱和区
A:
L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B:tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
答案:
L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
###tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
###一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
A:
源电压相对于衬底电势
发生改变，使得源衬电势差
不为0，就会产生体效应。
体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
C:不改变衬底电势也可能会产生体效应。
改变衬底电势可能会产生体效应。
答案:
源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。
体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
###不改变衬底电势也可能会产生体效应。
改变衬底电势可能会产生体效应。
A:
当
时，漏极电流
以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
MOS管由0增大到大于阈值电压
，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当
时，仍有存在
亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
D:MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
答案:
当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在
亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
###MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
A:
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C:MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
D:MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
答案:
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
###当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
###MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
###MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
