半导体技术导论第二章测试_智慧树知到答案2021年

第二章 半导体物理：本章主要介绍半导体物理的基本概念、物理意义和计算方法，主要内容包括晶体、能带、电子和空穴、有效质量、掺杂、费米能级、载流子浓度、热平衡、电导率、载子迁移率、光电效应、扩散电流以及漂移电流等重要物理概念。2.1晶体:本节介绍单晶体、多晶体和非晶体的特征和分类标准
2.2晶格:介绍典型的几种晶格，以及晶面、晶向、米勒指数的概念。
2.3能带-带隙-半导体:介绍能级、能带结构、带隙等概念，介绍半导体的本质特征。
2.4电子和空穴/德布罗意关系:介绍空穴的概念，并与电子相比较，介绍德布罗意物质波的概念。
2.5能带结构/间接带隙半导体:介绍波矢空间概念，引入能带结构图，介绍直接和间接带隙半导体的区别。
2.6有效质量:介绍有效质量的概念和公式。
2.7n/p型掺杂:介绍本征半导体和杂质半导体的概念，介绍杂质能级的概念和作用。
2.8费米能级:费米能级的概念及应用。
2.9载流子浓度:平衡态载流子浓度的计算。
2.10热平衡和温度依赖:介绍半导体在热平衡状态下的温度依赖特性。
2.11电导率和迁移率:从微观角度阐述载流子的运动速度，引入迁移率概念；进而介绍漂移电流和电导率。
2.12霍尔效应:介绍霍尔效应的概念、计算及其应用。
2.13受激辐射/受激跃迁/自发辐射:本节主要介绍激光技术的发展历史、原理和应用
2.14光吸收和多余载流子:本节主要介绍光电效应中光吸收和能量释放的过程和原理
2.15扩散电流/爱因斯坦关系:本节主要介绍半导体材料中扩散电流的计算过程以及其中的爱因斯坦关系
2.16电流连续性方程:本节主要介绍电流连续性方程的计算过程以及本章小结

[判断题]p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。
错
对
答案：错
[判断题]半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
错
对
答案：对
[判断题]以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
对
错
答案：对
[单选题]以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
结晶体
非晶体 
单晶体
多晶体
答案：结晶体
[判断题]从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
错
对
答案：错
[判断题]半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
对
错
答案：对
[判断题]在半导体中的空穴流动就是电子流动。
错
对
答案：错
[判断题]通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
错
对
答案：错
[单选题]温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
1/4
0
1/2
1
答案：1/2
[判断题]通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
错
对
答案：对