第三章 半导体器件：本章主要介绍了几种基本的半导体电子器件，并对其结构、工作原理、性能参数分析等进行了详细说明。器件包括pn结、金属半导体结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极结型晶体管等。3.1pn结:本节主要介绍本征状态下pn结的能带图结构、内部电流方向和相关参数计算方法[判断题]通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
3.2偏压下的pn结:本节主要介绍pn结在施加正偏压和反偏压时的内部电流方向以及总体的电流电压特性曲线
3.3金属半导体结:本节主要介绍金属半导体结和肖特基接触的特征
3.4欧姆接触:本节主要介绍欧姆接触的能带图特征及应用
3.5异质结:本节主要介绍异质结的特性以及此结构中量子阱的形成
3.6金属氧化物半导体场效应晶体管-1:本节主要介绍传统MOSFET器件结构以及沟道电流饱和的原理
3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2:本节主要介绍MOSFET器件的电流电压特性以及新型FinFET的结构特征
3.8双极结型晶体管:本节主要介绍BJT器件的结构特征和工作原理
对
错
答案：错
[判断题]pn结加反偏压时，总电流为0。
错
对[判断题]平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
对
错[判断题]金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
错
对[判断题]欧姆接触也称为整流接触。
对
错[判断题]通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
对
错[判断题]n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
错
对[判断题]MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
错
对[判断题]MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
错
对[判断题]BJT可用于恒定电流源的设计。
错
对
温馨提示支付 ￥1.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
