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半导体器件物理章节测试课后答案2024秋

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第二章单元测试
  1. 晶体管是一种无源器件。（ ）

    2. A:对 B:错
    答案:错
  2. 双极型晶体管是通过调控结势垒高度来控制电流大小，场效应晶体管是通过调节导电沟道的电导来控制电流。（ ）

    3. A:对 B:错
    答案:对
  3. 关于理想MOS结构的描述，下面不正确的是（ ）

    4. A:金属与半导体之间存在一个电势差 B:氧化层不导电，也不荷电 C:金属栅足够厚，在交流和直流偏置条件下可以看作为一个等电势区 D:半导体足够厚，不管加什么栅电压，在达到背接触之前总有一个零电场区域(即所谓硅体区)
    答案:金属与半导体之间存在一个电势差
  4. 理想n型MOS电容的不同静态偏置下的能带图如下所示，其中对应载流子反型程度最强的是（），表示所施加的栅极的电压（ ）

    5. A: B: C: D:
    答案:
  5. 下面关于MOS电容表面势与费米势的说法错误的是：（ ）

    6. A:是半导体发生反型的临界条件 B:的大小与掺杂浓度有关 C:表面势是体内与表面之间的势垒高度 D:费米势的符号可以反映掺杂类型，如果半导体为P型，则；如果为n型，则
    答案:费米势的符号可以反映掺杂类型，如果半导体为P型，则；如果为n型，则
  6. 半导体的电子亲和势是真空能级与半导体表面的导带能级Ec之差。（ ）

    7. A:错 B:对
    答案:对
  7. 在测量MOS电容低频C-V特性时采用“准静态技术”。（ ）

    8. A:对 B:错
    答案:对
  8. 下图是p型衬底的MOS电容随栅压的变化关系图，下列说法不正确的是：（ ）

    9. A:当信号频率比较高，耗尽层中电子—空穴对的产生和复合跟不上信号的变化，反型层中的电子电荷Qn来不及改变，在高频情况下C维持极小值，如DG段所示 B:CD段处于耗尽区 C:AB段总电容由绝缘层电容决定（类同于平行电容器） D:EF段发生在高频强反型区
    答案:EF段发生在高频强反型区
  9. 下图中表示氧化层正的陷阱电荷引起的N型MOS电容C-V曲线平移的是（ ）

    10. A: B: C: D:
    答案:
  10. “场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（ ）

    11. A:错 B:对
    答案:错
  11. 下列对MOSFET阈值电压衬底偏置效应（反向偏置）描述正确的是：（ ）

    12. A:衬偏效应会导致阈值电压增大 B:衬偏效应会导致阈值电压减小 C:对于nMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底的PN结必须为零或反偏 D:对于pMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底PN结必须为零或反偏
    答案:对于nMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底的PN结必须为零或反偏
  12. 下面关于影响MOSFET阈值电压大小的因素不包括：（ ）

    13. A:功函数差 B:氧化层厚度 C:界面固定电荷 D:所施加的栅电压大小
    答案:所施加的栅电压大小
  13. 理想MOSFET采用的缓变沟道近似是指沿垂直于沟道方向电场变化很小。（ ）

    14. A:对 B:错
    答案:错
  14. MOSFET的亚阈值电流正比于表面势的指数.（ ）

    15. A:错 B:对
    答案:对
  15. 下列减小MOSFET亚阈值摆幅的途径不包括（ ）

    16. A:减小氧化层电容COX B:器件工作温度不能过高 C:减小界面充放电电荷密度Nss D:减小势垒电容Cd
    答案:减小氧化层电容COX

  16. MOSFET中会有哪些寄生电容（ ）


    17. A:栅极沟道和衬底之间也存在栅衬电容，表示为CGB B:都是 C:源极、漏极和衬底之间的寄生PN结电容，分别写成CGS和CGD D:栅极和源之间的交叠部分有交叠MOS电容，分别写成CGSO和CGDO E:栅极和源之间不交叠的部分则存在分布电容，分别写成CGS和CGD
    答案:都是
  17. 下列对于MOSFET的栅源、栅漏之间的分布电容描述不正确的是：（ ）

    18. A:栅源分布电容CGS等于栅氧化层存储电荷QG随栅源电压VGS的变化率，栅漏分布电容CGD的定义同理 B:当器件进入饱和区，栅源之间的分布电容CGS等于总氧化层电容CG的二分之三 C:当器件进入饱和区，漏端附近的沟道夹断，反型层消失，栅极电荷将不随漏极电压变化而变化，此时栅漏之间的分布电容CGD为零 D:考虑到线性区中漏极电压很小，栅源电压与栅漏电压近似相等，栅源、栅漏分布电容均等于
    答案:当器件进入饱和区，栅源之间的分布电容CGS等于总氧化层电容CG的二分之三

  18. 实际MOSFET高频等效电路相比理想MOSFET高频等效电容多考虑了哪些因素？（ ）


    19. A:都是 B:源极与衬底、漏极与衬底之间存在寄生PN结DS和DD以及相应的结电容Cjs和Cjd C:在实际电路连接中，源极和漏极与外部端口之间存在一定的体电阻Rs和Rd D:栅源和栅漏交叠电容CGSO和CGDO
    答案:都是
  19. MOSFET器件截止频率fT，定义为跨导衰减到低频跨导gm的的时（也就是功率跨导减小到低频时的2分之1时）。（ ）

    20. A:错 B:对
    答案:错
  20. MOSFET器件的跨导截止频率和器件截止频率均越高越好。（ ）

    21. A:错 B:对
    答案:对
  21. 提升MOSFET截止频率的方法错误的是（ ）

    22. A:减小半导体表面态和界面态，削弱载流子在表面或界面上的散射 B:选用高迁移率材料，例如NMOS、应变硅、高迁移率化合物半导体 C:增大沟道长度，减少短沟道效应 D:让器件工作在饱和区，让栅漏之间断路，避免栅漏分布电容的影响
    答案:增大沟道长度，减少短沟道效应

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半导体器件物理章节测试课后答案2024秋
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