第五章单元测试
- 下列不属于场效应晶体管的是（ ）
- 下列对FET与BJT的比较说法错误的是：（ ）
- 夹断电压对于N沟JFET绝对小于零，对于P沟JFET绝对大于零。（ ）
- 夹断电压分为阈值电压和开启电压，阈值电压表示JFET器件由截止到导通的临界点，开启电压表示由导通到截止的临界点。（ ）
- 计算JFET直流特性中采用的缓变沟道近似指的是电场沿沟道厚度方向的变化率远大于沿沟道长度方向的变化率。（ ）
- 下列对JFET直流特性描述错误的是（ ）
A:BJT B:HEMT C:MISFET C MESFET
答案:BJT
A:FET是电压控制型器件，BJT是电流控制型器件 B:FET的制备工艺相对于BJT比较简单，有利于集成度的提高 C:FET中电子空穴共同参与工作，BJT仅为单极性的多子参与导电 D:大电流下FET工作性能比较稳定，而BJT大电流下增益迅速降低
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:栅区是一个高掺杂区域，电阻率很低且为等电势 B:栅源电压等于漏端电压时，沟道中的电导为沟道区的最小电导 C:最大饱和漏极电流定义为沟道中不存在任何势垒区时的漏极电流 D:采用肖克莱模型研究长沟道JFET
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