无
第一章单元测试
- 对于离子注入或在轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散的情况，突变结是一个可接受的近似。（ ）
- 理想PN结的内建电势小于禁带宽度的电压值。（ ）
- 线性缓变结的耗尽层宽度正比于（ ）
- 下面哪个图代表线性缓变PN结热平衡的电场分布：（ ）
- PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压的增加而升高。（ ）
- 在反向偏置下，靠近PN结耗尽区边界的准中性区内载流子会发生什么过程？（ ）
- 下面那个图正确表示了PN结正偏的少子浓度分布图：（ ）
- 在推导理想二极管方程中，下面哪一个假定没有使用？（ ）
- 在理想pn结中，正偏稳态扩散时，单位时间、单位体积内扩散和漂移积累的少子数量等于复合损失的少子的数量。（ ）
- 正偏稳态理想pn结中，载流子的连续性方程为
。（
>0，
>0）（ ） - PN结正偏时，扩散区中非平衡少子浓度随扩散距离的增大而指数增大，逐渐趋向热平衡值。（ ）
- 以下哪个选项是理想二极管电压-电流公式中的与外加偏压无关的参数J0：（ ）
- 反偏PN结空间电荷区
。（ ） - 以下哪个不属于PN结伏安特性非理想效应（ ）
- 下面哪一种说法是不正确的？（ ）
- PN结在较低正偏压下，随正向电压的增加，扩散电流变的越来越不占主导。（ ）
- 相同正偏压下，相同掺杂浓度分布的硅PN结比锗PN结空间电荷区复合电（ ）流大。
- 下图表示了PN结正偏电流随正向偏压的变化曲线，c区域中：（ ）
- PN结的势垒电容随反偏电压的增大而增大。（ ）
- 下面关于PN结的势垒电容和扩散电容的说法哪个是正确的？（ ）
- 关于PN结的扩散电容的描述，以下哪一个是不正确的（ ）
- PN结小信号模型中的准静态是指信号变化速率低于器件内载流子弛豫到稳态的速率，即器件内部的载流子分布的变化跟得上信号的变化。（ ）
- PN结由正偏突变成反偏时，电流与电压存在延迟现象，这是因为正偏稳态存储的电荷不能立刻消失。（ ）
- PN结由正偏突变成反偏时，立刻出现少子抽取。（ ）
- 下图给出了硅PN结关断过程的电流随时间的变化曲线，判断下面说法正确的是：（ ）
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:
B:
C:
其中，
为轻掺杂一侧的杂质浓度
D:
答案:
A:
B:
C:
D:
答案:
A:错 B:对
答案:错
A:产生和扩散 B:产生和漂移 C:扩散和复合 D:漂移和扩散
答案:产生和扩散
A:
B:
C:
答案:
A:不存在“其他”过程，也就是说没有光子产生，也没有雪崩和隧穿发生，等等。 B:窄基区二极管，即n和p的准中性宽度远小于各自的少数载流子扩散长度。 C:小注入水平 D:在耗尽区中没有复合-产生
答案:窄基区二极管，即n和p的准中性宽度远小于各自的少数载流子扩散长度。
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:
B:
C:
D:
答案:
A:对 B:错
答案:错
A:载流子大注入（正偏） B:耗尽区扩散电流（正偏） C:耗尽区产生电流（反偏） D:结击穿（反偏）
答案:耗尽区扩散电流（正偏）
A:如果要在PN结二极管中发生齐纳过程，要求耗尽区宽度必须非常窄（<10-6 cm） B:在保持于室温下的硅二极管中，如果
，那么齐纳是造成击穿的主要原因。
C:雪崩击穿电压近似地随p+-n和n+-p结中轻掺杂一侧的掺杂浓度成反比变化。
D:PN结雪崩和齐纳击穿都是可恢复的过程答案:在保持于室温下的硅二极管中，如果
，那么齐纳是造成击穿的主要原因。A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:
B:
C:
D:
答案:
A:对 B:错
答案:错
A:这两个电容都是因为势垒区中的电荷随外偏压变化而引起的 B:势垒电容只存在于反偏压下，扩散电容只存在于正偏压下 C:这两个电容的正负电荷在空间上都是重叠的； D:减少PN结结面积可以减少这两个电容
答案:减少PN结结面积可以减少这两个电容
A:扩散电容在高频电路中特别重要，而在低频时扩散电容很小。 B:减少少子寿命可以减小扩散电容 C:正向偏压越大，扩散电容越大 D:工作电流越大，扩散电容越大
答案:扩散电容在高频电路中特别重要，而在低频时扩散电容很小。
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:若I1提高两倍，则
相应的增大两倍
B:总的关断时间为
C:减小I2或掺金有助于提高关断速度
D:
为存储时间，即空间电荷区边缘少子浓度达到热平衡值所经历的时间答案:
为存储时间，即空间电荷区边缘少子浓度达到热平衡值所经历的时间
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
