第四章单元测试
- 下列对于小信号模型下双极晶体管各区域的变化描述错误的是：（ ）
- 交流小信号条件下的BJT集电结势垒区两侧的电流不相等，是因为集电区势垒区有一定宽度，载流子存在时间延迟，导致两侧的载流子浓度不一样，因此电流不相等。（ ）
- 下列对混合π模型求出的BJT器件参数描述或公式正确的是：（ ）
- 下列对混合π模型的意义描述正确的是：（ ）
- 交流小信号下正常工作状态的BJT的集电结延迟时间主要是因为集电结势垒电容的充放电时间。（ ）
- 延迟时间越短，则BJT的电流增益会越大。（ ）
- 下列关于共基极组态下BJT的基区小信号特性参数描述正确的是：（ ）
- 下列关于共BJT的集电区小信号特性参数描述错误的是（ ）
- 硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：
求（1）发射结电容充电时间：（ ） - 硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：
求（2）基区渡越时间:（ ） - 硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：
求（3）集电结耗尽区渡越时间:（ ） - 硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：
求（4）集电结电容充电时间：（ ） - 硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：
求（5）发射区-集电区渡越时间：（ ） - 频率大于一定值的双极晶体管的电流增益会随信号频率的增益而增大。（ ）
- 下列对于BJT的频率特性描述正确的是：（ ）
- 下列改善双极晶体管频率特性的途径不正确的是：（ ）
- 下列对于增大BJT功率增益有效的途径是：（ ）
- 双极晶体管的开关可以分为饱和型开关和截止型开关。（ ）
- 过驱动状态是指BJT基极电流大于临界饱和基极电流的状态，此时晶体管处于饱和状态。（ ）
- 下列对共射极组态双极晶体管描述错误的是：（ ）
共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：t1-t2时间段对应的哪个过程？（ ）
共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：t=t1时下列正确的是：（ ）
共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：下面对于下降过程描述不正确的是：（ ）- 双极晶体管的开关时间由开启时间和下降时间构成。（ ）
- BJT的关断时间是决定器件开关频率上限的主要因素。（ ）
- 下面对于BJT电荷控制模型描述错误的是：（ ）
- 下面对于BJT电荷控制模型的时间常数描述不正确的是：（ ）
- 下面对于不同工作状态的BJT的电荷控制方程的描述不正确的是：（ ）
- 下列影响BJT开关过程中上升时间的因素错误的是：（ ）
- 下列影响BJT开关过程中储存时间和下降时间的因素中正确的是：（ ）
- 当BJT由发射极注入基区的少子浓度大于或约等于基区多子浓度时，则发生大注入。（ ）
- 下面对于NPN管的基区电导调制效应说法错误的是：（ ）
- 下列对于强场下BJT基区扩展效应描述不正确的是：（ ）
- 下列对于弱场下BJT基区扩展效应描述正确的是：（ ）
- 下列对NPN管的发射极电流集边效应描述错误的是：（ ）
- 下列对于双极晶体管的功率耗损来源不包括：（ ）
- 双极晶体管的稳态热阻反映了其散热能力的大小。（ ）
- 下列对于双极晶体管最大耗散功率说法不正确的是：（ ）
- BJT的雪崩击穿和二次击穿都是非破坏性的可逆击穿。（ ）
下图是双极晶体管的工作I-V曲线，请回答问题：功率耗散过荷区是：（ ）
上图是双极晶体管的工作I-V曲线，请回答问题：雪崩击穿二次击穿区是：（ ）
上图是双极晶体管的工作I-V曲线，请回答问题：下列对各区域的描述错误的是：（ ）
A:发射结的扩散电容会导致基区输运系数增大 B:处于放大状态下的BJT基区的集电结的扩散电容很小，一般忽略不计 C:集电结的扩散电容是由于基区宽化效应造成的基区电荷积累的变化引起的 D:发射结和集电结都会出现势垒电容，它的形成与PN结的势垒电容相似
答案:发射结的扩散电容会导致基区输运系数增大
A:错 B:对
A:输出电导
是输出电流随集电结电压的变化率，他的大小为
B:跨导gm是晶体管放大功能强弱的标志，它的大小
C:反馈电导
是输入电流随发射结电压的变化率，它的大小
D:输入电导
是输入电流随输出电压的变化率，它的大小
A:引入了结构参数相关的模型参数 B:模型中不包含温度参数T C:主要考虑的是交流下的势垒电容，扩散电容很小忽略不计 D:建立了由有源元件组成的简单电路
A:错 B:对
A:对 B:错
A:交流小信号下基区的输运系数大于静态工作下的基区输运系数 B:小信号下基区输运系数是一个复数 C:基区渡越截止频率是指当基区输运系数为静态工作下的基区输运系数的
D:基区的渡越时间主要是由于集电结扩散电容的充放电时间构成的
A:信号频率增大，集电区衰减因子减小 B:延迟时间包括集电结势垒区的渡越时间和集电结势垒电容的延迟时间 C:集电区衰减因子与集电极延迟时间无关 D:集电结势垒区渡越时间越大，集电结势垒区输运系数越小
A:23 ps B:24 ps C:26 ps D:22 ps
A:40 ps B:60 ps C:50 ps D:30 ps
A:24 ps B:23 ps C:22 ps D:21 ps
A:4 ps B:6 ps C:7 ps D:5 ps
A:110 ps B:104 ps C:108 ps D:100 ps
A:错 B:对
A:截止频率下的共基极晶体管的放大功能仍然存在 B:截止频率下的共射极晶体管的放大功能基本消失 C:低频下，晶体管的电流增益基本不变 D:特征频率下共射极晶体管的电流放大功能仍然很大
A:减小晶体管高频下的延迟时间 B:减小基区宽度、提高场因子大小、增大基区少子的扩散系数 C:减低管壳寄生电容和延伸电极电容 D:减小晶体管发射结面积、增大和集电结的面积，提高集电结的收集能力
A:增大集电结的面积 B:降低特征频率 C:高频率管选择PNP晶体管 D:降低基区电阻
A:对 B:错
A:对 B:错
A:增大饱和深度可以降低饱和压降和正向压降 B:饱和状态下的输入压降是指基极和发射极之间的压降 C:饱和状态下的输出压降是指集电极和发射极之间的压降 D:减小集电极厚度可以增大饱和压降和正向压降
A:延迟过程 B:上升过程 C:储存过程 D:下降过程
A:基区内少子密度大于反向偏置时的情况 B:势垒宽度变大，相当于给集电结和发射结势垒电容充电 C:发射结反偏，集电结正偏 D:晶体管处于截止状态
A:是指t4时IC＝0.9ICS到t5时IC＝0.1ICS的过程 B:发射结和集电结势垒区宽度进一步增大，CTE和CTC继续放电 C:整个过程晶体管从放大状态过度到截止状态 D:基区电荷浓度下降，积累电荷快速减少，即CDE继续放电；
A:错 B:对
A:错 B:对
A:该模型将晶体管端电流和各区域的电荷关系建立函数关系 B:该模型是基于晶体管的开关过程为高度的非线性过程作为物理依据的 C:该模型不考虑非平衡少子的分布梯度，只关心各个时间段电荷总量的变化 D:它是针对大信号问题提出来的
A:发射极时间常数与基区渡越时间近似相等 B:基极时间常数表明基极电流全部用来补充基区内部非平衡少子的复合 C:集电极时间常数大小等于基区总电荷量除以集电极电流 D:三个时间参数大小关系：
A:截止状态下，基区对集电区无注入电荷，基极电流所提供的载流子主要用于空间电荷区的电荷积累 B:饱和工作状态下，发射极和集电极电压保持不变，没有电容的充放电 C:饱和工作状态下，基极电流由三部分构成，用于抽取超量储存电荷 D:放大工作状态下，基极电流一部分用于空间电荷区的电荷积累，另一部分全部用于补充复合损失的电荷
A:基极电流越大，上升时间越小 B:基区少子寿命越大，上升时间越大 C:基区的宽度越大，上升时间越大 D:两结的结电压，结电压越大，上升时间越大
A:超量存储电荷越大，储存时间越小 B:基区宽度和集电区宽度不会影响储存时间的大小 C:集电区少子寿命越大，超量存储电荷小时越慢，储存时间越短 D:基区少子寿命越大，下降时间越小
A:错 B:对
A:发射结结电压增大有可能导致基区发生大注入 B:大注入下，基区电阻率可表示为：
C:是由于基区中发生电子的大注入，为了满足电中性条件，基区中空穴浓度减小从而导致基区电阻率显著下降。
D:是基区电导随非平衡少子的变化而变化的效应
A:强场下，载流子将以饱和漂移速度通过集电结势垒区 B:强场指的是势垒区的电场强度大于
C:高频下，基区扩展会导致器件更容易失去放大功能
D:强场大电流注入，有效基区宽度增大，电流增益增大
A:晶体管处于饱和工作状态 B:集电区中电阻率增大，出现感应基区 C:发生条件是饱和状态下外电压基本都降落在高阻的集电区 D:有效基区宽度与集电极电流有关
A:发射极电流实际流过的发射结面积比发射结面积小很多 B:他是发射极电流主要集中在发射结边缘流过的现象 C:他又称为基极电阻自偏压效应 D:大电流下，要考虑发射极电极上产生的压降会导致实际输出电压减小，增大电流增益
A:发射结结电阻 B:集电区串联电阻 C:基区电阻 D:集电结结电阻
A:对 B:错
A:选择大的结面积和大的热导率的材料可以提高最大耗散功率 B:降低晶体管的稳态热阻可以提高最大耗散功率 C:定义为当结温升到晶体管允许的最高结温对应的耗散功率 D:选择电阻率小的材料可以降低最大耗散功率
A:对 B:错
A:I B:III C:IV D:II E:V
A:I B:IV C:III D:II E:V
A:V区是由于电流过大而造成晶体管丧失电流和功率增益功能 B:二次击穿减小了晶体管的安全工作区 C:III区是由于高的反向偏压下载流子的雪崩倍增效应所引起的 D:II区是由于电流的局部集中造成的晶体管的局部烧毁
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