第三章单元测试
- 双极晶体管的“双极”代表两种载流子共同参与导电。（ ）
- 下面选项是同一类双极晶体管的是：（ ）
- 下列关于BJT中浅埋层的描述错误的是：（ ）
- 下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：该双极晶体管是哪种电路接法（ ）
- 下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：以下哪种简化电路图对应题目所给的双极晶体管电路（ ）
- 下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：该电路的直流放大系数怎么表示：（ ）
下图给出了共射极组态的npn晶体管的电路图，请回答以下问题：下面对于三股电流的描述正确的是：（ ）
下图给出了共射极组态的npn晶体管的电路图，请回答以下问题：下面关于该BJT晶体管发射效率与基区输运描不正确的是：（ ）- 以下哪个选项不属于均匀基区晶体管的前提条件：（ ）
- 下列对于BJT的放大作用描述错误的是：（ ）
- 假设BJT晶体管参数如下：
，
，
，
，
以及
，则该晶体管的发射极注入效率（ ） - 下面对于缓变基区晶体管的描述不正确的是：（ ）
- 已知一个双极晶体管的参数为：
，Wb=2μm，
，
，（1）若该晶体管是缓变基区晶体管，则它的基区复合电流大小是多少：（ ） - 已知一个双极晶体管的参数为：
，Wb=2μm，
，
，（2）若该晶体管是均匀基区晶体管，则它的基区输运系数是多少：（ ） - 已知一个双极晶体管的参数为：
，Wb=2μm，
，
，（3）若该晶体管是缓变基区晶体管，则它的基区输运系数是多少：（ ） - 已知一个双极晶体管的参数为：
，Wb=2μm，
，
，（4）比较（2）和（3）的结果，两种晶体管谁的电流增益更大？（ ） - 以下提高双极晶体管直流电流增益的方法不正确的是：（ ）
- 下面对于BJT发射结对电流增益的影响说法错误的是（ ）
- 下面关于BJT发射结的复合效应说法正确的是：（ ）
- 下列对于双极晶体管的反向直流参数的描述不正确的是（ ）
- 下面有关BJT击穿电压的描述正确的是：（ ）
- 下面关于BJT基极电阻描述不正确的是：（ ）
- 以下减少BJT基极电阻的措施不正确的是：（ ）
上图给出了pnp晶体管的测试电路，请回答问题：这个晶体管的连接方式是：（ ）
上图给出了pnp晶体管的测试电路，请回答问题：以下哪个图能正确反映该晶体管的输入特性曲线：（ ）
上图给出了pnp晶体管的测试电路，请问：以下哪个图能正确反映该晶体管的输出特性曲线：（ ）- EM模型通过将BJT看成两个背靠背的PN结来建立模型。（ ）
A:错 B:对
答案:对
A:化合物晶体管、平面管、低噪声管 B:点接触型晶体管、面接触型晶体管 C:高频管、微波管、台面管、开关管 D:合金管、合金扩散管、Si晶体管
A:浅埋层同时起到了隔离器件的作用 B:浅埋层是为了解决器件微小化过程中出现的表面复合增大的问题 C:浅埋层的加入可以使得发射结的厚度变浅，增大晶体管的电流增益 D:浅埋层是利用多晶硅工艺制作形成发射结接触
A:共集电极 B:共基极 C:共射极
A:
B:
C:
D:
A:D.
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A:发射效率
，其中
为发射区空穴电流，
为发射区电子电流
B:发射效率是表示有效注入电流占总发射电流的比例
C:基区输运系数
，其中
为基区复合电流，
为发射区电子电流
D:基区输运系数表示注入集电区电流占输入集电区有效电流的比例，它代表了基区对载流子输运性能的强弱
A:发射结势垒区的宽度远小于少子的扩散长度 B:发射结和集电结的PN结都是突变pn结 C:外加电压全部降落在发射结的势垒区 D:发射区、集电区、基区的杂质分布性质都是均匀分布
A:当基区宽度远小于少子扩散长度时，绝大多数少子通过扩散到达集电结耗尽区 B:晶体管的电流放大过程主要是发射结的注入和基区的输运 C:在发射结中扩散流小于漂移流，集电结中漂移流小于扩散流 D:正向有源工作模式，发射结正偏，集电结反偏
A:1.9934 B:0.9934 C:0.0066 D:1
A:基区出现自建电场且自建电场的方向与扩散场方向一致 B:多子在基区中存在净电流流动 C:基区自建电场增强少子的扩散 D:发射结和集电结都是缓变结，基区杂质分布存在一定梯度
A:
B:D.
C:
D:
A:D.1.999 B:B.1.001 C:
D:A.0.0006
A:D.0.99968 B:B.0.00032 C:A.1.0003 D:C.1.9997
A:均匀基区晶体管 B:一样大 C:缓变基区晶体管
A:改善器件的表面状况来减小表面复合 B:减小基区宽度的数值，来增大基区少子浓度梯度，增大漂移电流，减小基区复合 C:增大基区少子寿命和少子迁移率来来减小复合损失 D:增大发射区的杂质浓度与基区的杂质浓度之比，来提高发射效率
A:重掺发射结会导致杂质能级交叠，在禁带中出现能带，使得发射区禁带变窄，从而导致发射区的复合效应增大，降低了直流电流增益 B:发射结的掺杂浓度应该控制在
C:重掺的发射结的复合效应主要来源于俄歇复合和SHR复合
D:发射结势垒区的复合电流会降低直流电流增益
A:发射结结深较大时，主要以SHR复合为主，可以忽略禁带窄化效应 B:SHR复合是指一种三粒子复合过程，是带间的直接复合，是碰撞电离的逆过程 C:俄歇复合是一种借助禁带中央的缺陷作为复合中心的复合过程 D:发射结电流较小时，主要以俄歇复合为主。
A:实际中晶体管的反向电流还包括表面漏电流 B:反向截止电流越小越好 C:击穿电压越小越好 D:反向截止电流按照电极接法的不同可以分为三类，且大小关系是：
A:对于缓变基区晶体管，击穿电压与杂质浓度梯度无关 B:发射结的击穿电压由基区的掺杂浓度决定，基区杂质浓度越大，发射结的击穿电压越大 C:双极晶体管相比于PN结更难发生雪崩击穿 D:共射极连接时，基极悬空会使得雪崩击穿更容易发生
A:基极电阻又称基极扩展电阻 B:基极电阻的分布不均匀是由于不同位置的平均压降与电流的比值不同 C:梳妆管芯的基极电阻由n+1个发射条和n个基极条组成 D:基区的电流流向会影响基极电阻
A:减少并联单元的个数 B:减小发射区条宽和基区条宽，增大发射区条长 C:降低基区的方块电阻 D:增大发射极的条数
A:共集电极 B:共基极 C:共射极
A:
B:
C:
A:
B:
A:对 B:错
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