第三章单元测试
- 以下关于PN结的描述，正确的的选项是（ ）。
- 对于金属和N型半导体紧密接触，当Wm>Ws时，在界面处形成阻挡层（ ）
- 对于单边突变结，正确的的选项是（ ）
- 正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加（ ）
- 对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有 （ ）
- 以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（ ）
A:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率 B:PN结具有单向导电性 C:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同 D:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级
答案:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率###PN结具有单向导电性
A:错 B:对
A:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧 B:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别 C:内建电势主要降落在轻掺杂一侧 D:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
A:错 B:对
A:选用禁带宽度更大的半导体材料 B:增加轻掺杂一侧掺杂浓度 C:选用禁带宽度较窄的半导体材料 D:降低轻掺杂一侧掺杂浓度
A:增大P区少子的扩散长度 B:降低正向电流 C:减小P区少子的寿命 D:提高串联电阻R
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