第四章单元测试
- 双极晶体管的基区特点（ ）。
- 基区中的复合电流IVB受以下哪些因素影响（ ）。
- 双极晶体管中的结构参数会影响哪些器件性能（ ）。
- 双极晶体管的发射区掺杂要低。（ ）
- NPN双极晶体管中发射区的多子是电子（ ）
A:宽且掺杂轻 B:窄且掺杂轻 C:窄且掺杂重 D:宽且掺杂重
答案:窄且掺杂轻
A:基区宽度 B:基区的少子寿命 C:基区的掺杂 D:基区中的电荷数
A:发射区的发射效率 B:基区的输运系数 C:共射接法的电流放大系数 D:共基接法的电流放大系数
A:对 B:错
A:对 B:错
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