第三章单元测试
- 通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（ ）
- 热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（ ）
- 二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。（ ）
- 薄膜的密度越大，表明致密性越低。（ ）
- 电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。（ ）
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
