第五章单元测试
- 刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。( )
- 湿法刻蚀是各向同性腐蚀。( )
- 干法刻蚀有各向同性腐蚀,也有各向异性腐蚀。( )
- 选择比指在不同刻蚀条件下,刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。( )
- 同一晶体不同晶面的原子键密度不一样,导致刻蚀速率不一样。( )
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
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第五章单元测试