第八章测试
1.侧壁沉积法获得侧壁时用到了( )
A:热氧化或CVD沉积薄膜
B:刻蚀清除顶部和底部的二氧化硅
C:光刻和刻蚀制作支撑结构

答案:ABC
2.氧化削尖工艺依赖于氢氟酸能腐蚀( )而不能腐蚀()。
A:硅,二氧化硅
B:二氧化硅,硅
3.垂直抽减法制作纳米通道和氧化横向抽减法的氧化削尖都用到了热氧化的工艺。( )
A:对 B:错 4.横向添加法用来获得窄间隙结构,横向抽减法用来获得窄线条结构。( )
A:对 B:错 5.侧壁沉积法中,沉积时应选择各向同性沉积,而刻蚀时应选择方向性好的各向异性刻蚀。( )
A:错 B:对

温馨提示支付 ¥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
点赞(73) dxwkbang
返回
顶部