第十三章单元测试
  1. 封装工艺中,银浆固化的温度为 ( )。

  2. A:190度
    B:175 度
    C:157度
    D:180度

    答案:175 度

  3. 下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查,是否有出现废品? ( )

  4. A:四光检查
    B:二光检查
    C:三光检查
    D:一光检查
  5. 影响封装芯片特性的温度有( )。

  6. A:热的产生
    B:集成度
    C:热敏感度
    D:物理的脆弱度
  7. 芯片粘接的工艺过程包括( )。

  8. A:点银浆
    B:烘烤
    C:银浆固化
    D:芯片粘接
  9. 三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。( )

  10. A:错 B:对
  11. 去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高压水冲洗。( )

  12. A:对 B:错
  13. ____是利用金属和化学的方法,在框架的表面镀上一层镀层,以防止外界环境的影响。

  14. 电镀一般有____和铅锡合金。

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