第十章单元测试
- 进行光刻工艺前的清洗步骤是（ ）。
- 光刻工艺的设备核心是（ ）。
- 光刻工艺的特点包括：（ ）
- 光刻工艺对准误差包括：（ ）。
- 曝光波长越短约好。（ ）
- 正性光刻胶显影后可用____进行清洗。
A:碱溶液清洗
B:去离子水冲洗
C:有机溶液清洗
D:HF结尾的清洗工艺
答案:HF结尾的清洗工艺
A:光刻机
B:光刻胶
C:掩膜版
D:对准和曝光
A:复印图像和化学作用相结合的综合性技术
B:决定特征尺寸的关键工艺
C:光刻与芯片的价格和性能密切相关
D:光刻工艺过程复杂
A:X或Y方向的平移
B:套准误差
C:转动
D:上下偏移
A:对 B:错
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