第二章单元测试
- 如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（ ）。
- 下列哪个杂质允许在硅中存在的？( )
- 硅的四种掺杂方式有以下几种？（ ）
- 金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（ ）
- 硅的解理面为（110）面。 （ ）
- 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的____。
- 硅中点缺陷分____缺陷和____缺陷。
A:增加注入剂量
B:表面用
掩膜 C:增加注入能量
D:表面预非晶化
答案:增加注入能量
A:O
B:Cu
C:C
D:Na
答案:Cu
A:扩散掺杂法
B:中子嬗变掺杂
C:原位掺杂
D:离子注入
答案:扩散掺杂法
###中子嬗变掺杂
###原位掺杂
###离子注入
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:错
答案:0
答案:0
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