第三章单元测试
  1. 金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。( )

  2. A:错 B:对
    答案:对
  3. 硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?( )

  4. A:硅烷热分解
    B:制备硅烷
    C:固体吸附法
    D:精馏
  5. 目前制备SOI 材料的主流技术有几种?( )

  6. A:键合再减薄技术
    B:注氧隔离法
    C:智能剥离法
  7. 物理提纯法制备多晶硅过程中,硅参加了化学反应。 ( )

  8. A:对 B:错
  9. 无坩埚制备单晶硅的生长方法叫____法。

  10. 有坩埚制备单晶硅的生长方法有____法。

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