第五章单元测试
- 硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为 （ ）
- 湿氧氧化采用的氧化水温是（ ）。
- 消除鸟嘴效应的方法有（ ）。
- 鸟嘴效应造成的不良影响有（ ）。
- 重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。 （ ）
- 晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（ ）
- 迪尔-格罗夫（Deal-Grove）氧化模型中，氧化物有两个生成阶段描述：____和____。
- 在规定的地方热生长形成氧化膜，其它地方要用掩蔽膜遮盖起来，这叫____或____。
A:25 nm
B:20 nm
C:10 nm
D:30 nm
答案:25 nm
A:75度
B:80度
C:95度
D:90度
A:退火
B:选择合适的掩蔽膜
C:高压氧化工艺
D:在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉
深度，再进行局部氧化A:有效栅宽变窄
B:电阻增大
C:电流减少
D:电容增加
A:错 B:对
A:错 B:对
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