第十四章单元测试
- 集成电路制造中所涉及的器件主要是（ ）。
- 下面哪个不是单电子晶体管的特点？（ ）
- IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（ ）。
- CE定律发展面临的问题（ ）。
- 纳米器件的基本特征有（ ）。
- 碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。（ ）
A:电阻
B:CMOS晶体管
C:二极管
D:放大器
答案:CMOS晶体管
A:制备工艺简单
B:工作原理是基于库伦阻塞效应
C:中间的栅极为一量子点
D:功耗小
A:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,而单位芯片面积的功耗不变
B:特征线宽等有关尺寸缩小α倍, 集成度提高α倍
C:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,电路速度可增加α倍,
D:特征线宽等有关尺寸缩小α倍,单元电路的功耗下降α2倍,
A:阈值电压不可能缩的太小
B:电源电压标准的改变会带来很大的不便
C:工艺实现存在问题
D:源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
A:量子遂穿效应
B:小尺寸效应
C:量子尺寸限域效应
D:库伦阻塞效应
A:错 B:对
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